Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"F. Kerrour"'
Publikováno v:
Phosphorus, Sulfur, and Silicon and the Related Elements. 195:924-929
Specifically, this work aims to achieve a power splitter and polarization separator of a guided light, basing on magnetic properties such as gyrotropy, mode coupling and optimization of geometric p...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::16e252ce0edd756ab32a2d8d81166d96
https://doi.org/10.1080/10426507.2020.1804163
https://doi.org/10.1080/10426507.2020.1804163
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physical Optics. 2019, Vol. 20 Issue 2, p47-53. 7p.
Autor:
M. Benhaddad, F. Kerrour
Publikováno v:
Phosphorus, Sulfur, and Silicon and the Related Elements. 195:957-959
In this article, confinement loss in hexagonal lattice photonic crystal fiber has been investigated, by using COMSOL Multiphysics based on finite element method. The proposed structure consists of ...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5200ad5188a9e2619cc189a25f41fa43
https://doi.org/10.1080/10426507.2020.1804205
https://doi.org/10.1080/10426507.2020.1804205
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
I Bouneb, F. Kerrour
Publikováno v:
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 108:012045
Semi-conductor components become the privileged support of information and communication, particularly appreciation to the development of the internet. Today, MOS transistors on silicon dominate largely the semi-conductors market, however the diminut
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::977a76b9b4315b441ed3120c1620f86c
https://doi.org/10.1088/1757-899x/108/1/012045
https://doi.org/10.1088/1757-899x/108/1/012045
Publikováno v:
Journal de Physique III. 2:2309-2315
Interdigital gate Si-MOSFET have been fabricated and electrically tested. Their photodetection performances are also evaluated and compared with straight gate ones
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::56d2ce5d20f57fa30a5b87016ba2de61
https://doi.org/10.1051/jp3:1992248
https://doi.org/10.1051/jp3:1992248
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.