Zobrazeno 1 - 10
of 55
pro vyhledávání: '"F. Illien"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. Felber, Giorgio Baccarani, L. Colalongo, L. Zullino, Susanna Reggiani, A. Stricker, M. Valdinoci, F. Illien, Wolfgang Fichtner, Massimo Rudan
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 49:490-499
In this paper, an experimental investigation on high-temperature carrier mobility in bulk silicon is carried out with the aim of improving our qualitative and quantitative understanding of carrier transport under ESD events. Circular van der Pauw pat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e3bd052c5670eb249f02df61979701b7
https://doi.org/10.1109/16.987121
https://doi.org/10.1109/16.987121
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the 21st IEEE Instrumentation and Measurement Technology Conference (IEEE Cat. No.04CH37510).
The limits of the traditional experiment approach to extract resistivity in junction-isolated samples are discussed basing both on physical simulations and on extensive experimental data. Several optimization criteria to design van der Pauw resistors
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dfba91b6f19cb295852c4916f3543ff7
https://doi.org/10.1109/imtc.2004.1351013
https://doi.org/10.1109/imtc.2004.1351013
Autor:
A. Stricker, S. Lindenkreuz, L. Zullino, S. Mettler, L. Colalongo, A. Valdinoci, Giorgio Baccarani, F. Illien, Wolfgang Fichtner, N. Felber, Massimo Rudan, Susanna Reggiani
Publikováno v:
International Conferencre on Simulation of Semiconductor Processes and Devices.
An experimental investigation on high-temperature carrier mobility in silicon inversion layers is carried out with the aim of improving our understanding of carrier transport at the onset of second breakdown. Special MOSFET structures suitable for Ha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::955d33f87f6a517d7c5005cdc74600eb
https://doi.org/10.1109/sispad.2002.1034506
https://doi.org/10.1109/sispad.2002.1034506
Autor:
A. Stricker, Giorgio Baccarani, F. Illien, M. Valdinoci, M.C. Vecchi, L. Zullino, D. Ventura, Massimo Rudan
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
In this work, electron impact-ionization in silicon is investigated both theoretically and experimentally in the temperature range between 25 and 400/spl deg/C. A new compact model for the impact-ionization coefficient is proposed, which nicely fits
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9acc36f614750ae0424e2120f386e521
https://doi.org/10.1109/sispad.1999.799251
https://doi.org/10.1109/sispad.1999.799251
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.