Zobrazeno 1 - 10
of 741
pro vyhledávání: '"F. Hirose"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A. 40:062410
AlN and Al2O3 multilayer films intended as moisture barriers were deposited on polyethylene naphthalate films by remote-type plasma-enhanced atomic layer deposition. The deposition temperatures for AlN and Al2O3 were 160 and 20 °C, respectively. It
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::84d42b94691e2f1d52ba2ad1cd2bc122
https://doi.org/10.1116/6.0002057
https://doi.org/10.1116/6.0002057
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
F. Hirose, Masanori Miura, K. Sogai, Kensaku Kanomata, Bashir Ahmmad, Shigeru Kubota, K. Yoshida, K. Saito
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology. 10:065006
Nanothick TiO2 channel-thin film transistors (TFTs) are examined as UV and gas sensors. The TiO2 thin films were deposited by atomic layer deposition on thermally oxidized n+ Si substrates with deposition thicknesses from 17 to 42 nm, where the chann
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cbe98844b0a6ae140f1600378a855a2e
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac04fa
https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac04fa
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.