Zobrazeno 1 - 10
of 97
pro vyhledávání: '"F. Gucmann"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2022 14th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8327770148c7af458689baceadfac67b
https://doi.org/10.1109/asdam55965.2022.9966793
https://doi.org/10.1109/asdam55965.2022.9966793
Autor:
F. Hrubisak, K. Husekova, F. Egyenes, A. Rosova, A. Kubranska, E. Dobrocka, P. Nadazdy, J. Keshtkar, F. Gucmann, M. Tapajna
Publikováno v:
2022 14th International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::de777cea5f65b7e163f5515c403cf144
https://doi.org/10.1109/asdam55965.2022.9966785
https://doi.org/10.1109/asdam55965.2022.9966785
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Raniero Mendichi, Miloš Hricovíni, Alberto Giacometti Schieroni, F. Gucmann, Daniele Piovani, Edmund Dobročka, Ivan Šimkovic
Publikováno v:
Cellulose. 28:9567-9588
Polysaccharide films prepared using water extraction of red algae represent an important group of environmentally-friendly materials suitable for industrial applications in food processing, medicine or electrical engineering. In this study, we prepar
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::64f7f170996e03cf4fe4e76613097117
https://doi.org/10.1007/s10570-021-04138-5
https://doi.org/10.1007/s10570-021-04138-5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing. 155:107250
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::95d17a37c8923f6b4f3e1000ed21056b
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107250
https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107250
Autor:
F. Gucmann, Ľubomír Vančo, Jan Kuzmik, Prerna Chauhan, D. Machajdík, Alica Rosová, Igor Maťko, Martin Kuball, Edmund Dobročka, Peter Siffalovic, Jaroslav Kováč, Stanislav Hasenöhrl
Publikováno v:
CrystEngComm. 22:130-141
Thick InAlN layers (In-molar fraction >0.37) on GaN buffer layers were prepared using a close-coupled showerhead metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor. This work provides a discussion of the dependence of reactor parameters (pressure
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fee97fd2cee18b116e03799b57aff36d
https://doi.org/10.1039/c9ce01549c
https://doi.org/10.1039/c9ce01549c
Publikováno v:
Journal of Physics D: Applied Physics. 56:045102
A significant anisotropy in the electrical conductance was observed in Si-doped α-Ga2O3/sapphire samples grown via liquid-injection metal organic chemical vapor deposition. Additionally to epitaxial α-Ga2O3 diffraction, x-ray diffraction (XRD) reve
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::08e3da0de83fac6cbd0173840b55b4e7
https://doi.org/10.1088/1361-6463/aca775
https://doi.org/10.1088/1361-6463/aca775
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.