Zobrazeno 1 - 10
of 64
pro vyhledávání: '"F. Gonzatti"'
Publikováno v:
Brazilian Journal of Biology, Iss 0 (2019)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/423c39991590473b9b9a3a8ccec8e733
Autor:
Aline M. Vitorino, Naira B. Aidar, João V. F. Gonzatti, Carollyne R. Guerra, Alissa A. Magalhães, Gabriela M. Ferraz, Giovanni P. Pio, Isabela M.S. Maior, Juscelino P. Junior, Larissa P. Costa, Luisa C. Dib, Eduardo M. Cammerer
Publikováno v:
International Journal of Innovative Research in Medical Science. 7:420-423
The Helminths are still a highly prevalent cause of disease in the world, especially toxocariasis, which results from the infection of Toxocara canis and Toxocara cati. The infection by these parasites occurs accidentally, leading the human being int
Autor:
Luciano Vieira Lima, F. Gonzatti, Jairo Lizandro Schmitt, Vinícius Leão da Silva, Marcelo Guerra Santos, Rafael de Paiva Farias
Publikováno v:
Brazilian Journal of Biology, Iss 0 (2019)
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2017, 67, pp.118-123. ⟨10.1016/j.mssp.2017.05.025⟩
Materials Science in Semiconductor Processing, 2017, 67, pp.118-123. ⟨10.1016/j.mssp.2017.05.025⟩
Materials Science in Semiconductor Processing, Elsevier, 2017, 67, pp.118-123. ⟨10.1016/j.mssp.2017.05.025⟩
Materials Science in Semiconductor Processing, 2017, 67, pp.118-123. ⟨10.1016/j.mssp.2017.05.025⟩
H implantation in Si/Si:B/Si structures is a promising route to improve the Smart Cut™ process and transfer thin Si layers of reduced roughness and controlled thickness onto regular Si wafers. However, the mechanisms driving this process are unknow
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2149c08443fe4202f6e5822b5c9a7935
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02061855
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02061855
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.