Zobrazeno 1 - 10
of 75
pro vyhledávání: '"F. González-Posada"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M J, Milla, F, Barho, F, González-Posada, L, Cerutti, B, Charlot, M, Bomers, F, Neubrech, E, Tournie, T, Taliercio
Publikováno v:
Optics express. 25(22)
We demonstrate surface enhanced infrared absorption spectroscopy using 1-dimensional highly doped semiconductors based on Si-doped InAsSb plasmonic nano-antennas. Engineering the plasmonic array to support the localized surface plasmon resonance alig
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::33c826ca4ab617c70edb3ba8340d7567
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/29092159
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/29092159
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Andrés Redondo-Cubero, Raúl Gago, E. Muñoz, A.F. Braña, F. González-Posada, M.-A. di Forte Poisson, U. Kreissig
Publikováno v:
Thin Solid Films. 516:8447-8452
The Al content in Al x Ga 1 − x N/GaN heterostructures has been determined by X-ray diffraction (XRD) and contrasted with absolute measurements from ion beam analysis (IBA) methods. For this purpose, samples with 0.1 x x > 0.2. The assessment of Al
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b130c1c9e7283ace24fd6c05d500e85c
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.04.069
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2008.04.069
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Campa, A. Passaseo, F. González-Posada, E. Muñoz, Vittorianna Tasco, N. Franco, Katharina Lorenz, Iolena Tarantini, Andrés Redondo-Cubero
Publikováno v:
Journal of applied physics 105 (2009): 063510.
info:cnr-pdr/source/autori:V. Tasco; A. Campa; I. Tarantini; A. Passaseo; F. González-Posada; A. Redondo-Cubero; K. Lorenz; N. Franco; E. Muñoz/titolo:Investigation of different mechanisms of GaN growth induced on AlN and GaN nucleation layers/doi:/rivista:Journal of applied physics/anno:2009/pagina_da:063510/pagina_a:/intervallo_pagine:063510/volume:105
info:cnr-pdr/source/autori:V. Tasco; A. Campa; I. Tarantini; A. Passaseo; F. González-Posada; A. Redondo-Cubero; K. Lorenz; N. Franco; E. Muñoz/titolo:Investigation of different mechanisms of GaN growth induced on AlN and GaN nucleation layers/doi:/rivista:Journal of applied physics/anno:2009/pagina_da:063510/pagina_a:/intervallo_pagine:063510/volume:105
The evolution of GaN growth on AlN and GaN nucleation layers is compared through morphological and structural analyses, including ion beam analysis. By using AlN nucleation layer grown at high temperature, improved crystalline quality is exhibited by
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b1a413d7786bcb5be4cd668affcd28bd
https://publications.cnr.it/doc/181743
https://publications.cnr.it/doc/181743
