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pro vyhledávání: '"F. Gessinn"'
Autor:
F. Guerin, Julian Carrey, Ph. Bourdeu-Daguerre, Ch. Cappello, F. Gessinn, Ch. Rouahbi, S. Lachaize, J.-L. Noullet, Reasmey P. Tan, Jérémie Grisolia, Marc Respaud
Publikováno v:
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, EDP Sciences, 2017, 16, pp.1022
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, 2017, 16, pp.1022
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, EDP Sciences, 2017, 16, pp.1022
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, 2017, 16, pp.1022
International audience; Le but de cette formation est de proposer à des étudiants (de niveau Master/Ingénieur, ou plus : doctorants, formation continue,…) une étude expérimentale complète sur les capteurs de gaz à base de nanoparticules (NPs
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4be0510436cfe6b5b774445c57b778d4
https://hal.insa-toulouse.fr/hal-01982858
https://hal.insa-toulouse.fr/hal-01982858
Autor:
P. Simon, F. Guerin, Reasmey P. Tan, Pierre-Louis Taberna, Marc Respaud, F. Gessinn, Ch. Cappello, Kevin Brousse, Ch. Rouahbi, Peihua Huang
Publikováno v:
J3eA
J3eA, 2017, 16, pp.1021
HAL
J3eA, 2017, 16, pp.1021
HAL
Cet article presente la mise en place d’une nouvelle formation dispensee a l’AIME de Toulouse, sur la thematique du stockage de l’energie electrique sur silicium (Si), illustrant la fabrication et la caracterisation de supercapacites (SC) micro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::98e443ce4a5d0cc28aab03db1d7ccbd3
https://hal.science/hal-01996903
https://hal.science/hal-01996903
Autor:
C. Rouabhi, F. Gessinn, P. Bourdeu d'Aguerre, C. Capello, Marc Respaud, R.P. Tan, H. Tap, O. Bernal, P-F. Calmon
Publikováno v:
J3eA. 18:1019
L’objectif de ce projet pédagogique est de proposer à des étudiants de niveau Master ou Ingénieur en Electronique un module complet leur permettant de se familiariser avec la conception et la fabrication de circuits intégrés analogiques répo
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9dc31e1d79fcec5b1fe571bf7d430595
https://doi.org/10.1051/j3ea/20191019
https://doi.org/10.1051/j3ea/20191019
Autor:
C. Rouabhi, F. Guérin, R.P. Tan, A. Biganzoli, J-L. Noullet, C. Capello, Marc Respaud, F. Gessinn, P. Bourdeu d'Aguerre, Sébastien Lachaize, Jérémie Grisolia
Publikováno v:
J3eA. 18:1020
L'INSA de TOULOUSE propose plusieurs parcours transverses pluridisciplinaires en année terminale de formation d'ingénieur. L'un d'eux porte sur l'innovation dans le domaine des technologies de l'internet des objets - Innovative Smart Systems. Les
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1daefcad70386f54f9806ec5be6ad02e
https://doi.org/10.1051/j3ea/20191020
https://doi.org/10.1051/j3ea/20191020
Autor:
Marc Respaud, T. Besombes, C. Rouhabi, C. Capello, Gérard Benassayag, F. Gessinn, Fabien Guérin, Alain Claverie, Xavier Hebras, Reasmey P. Tan
Publikováno v:
J3eA. 16:1011
Nous presentons dans ce travail les etudes preliminaires dans le but de creer une nouvelle formation pratique en salle blanche sur la thematique de fabrication de substrats SOI (Silicium on Insulator). La methode de fabrication est basee sur le proce
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::86d71ba847779cce9637563e800a29b4
https://doi.org/10.1051/j3ea/20171011
https://doi.org/10.1051/j3ea/20171011
Autor:
Helene Tap, G. Beulaguet, P. Bourdeu d'Aguerre, N. Mariot, Marc Respaud, Olivier D. Bernal, R. Teulier, Rp. Tan, A. Palazon, F. Gessinn, Pierre-François Calmon
Publikováno v:
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, 2017, 16, pp.1020. ⟨10.1051/j3ea/20171020⟩
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, EDP Sciences, 2017, 16, pp.1020. ⟨10.1051/j3ea/20171020⟩
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, 2017, 16, pp.1020. ⟨10.1051/j3ea/20171020⟩
Journal sur l'enseignement des sciences et technologies de l'information et des systèmes, EDP Sciences, 2017, 16, pp.1020. ⟨10.1051/j3ea/20171020⟩
Le but de cette etude est de proposer a des etudiants de niveau Master ou Ingenieur de se familiariser avec la chaine de conception et de fabrication de circuits integres analogiques sous forme d’Apprentissage Par Projet (APP). Le projet, d’une d
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fcc2ffcb15daa2bd3316c664d5b21933
https://doi.org/10.1051/j3ea/20171020
https://doi.org/10.1051/j3ea/20171020
Autor:
G. Sarrabayrouse, F. Gessinn
Publikováno v:
Radioprotection. 29:557-572
The main properties of metal-oxide-s ilicon radiation dosemeters are described and the results obtained in terms of sensitivity and stability with thick oxide layers are given. Possible methods for improving their sensitivity are briefly dis cussed
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e6658fd5cadc91d19ee97d2409e0dc5b
https://doi.org/10.1051/radiopro/1994006
https://doi.org/10.1051/radiopro/1994006
Autor:
G. Sarrabayrouse, F. Gessinn
Publikováno v:
MRS Proceedings. 302
The effects of ionizing radiation on MOS transistors with gate oxide thickness up to 2 μm have been investigated. The major focus of workers in this area has been on the hardening techniques of technologies. On the other side, our goal is to use MOS
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::657d71ba9db78a911da1f24e5474eec9
https://doi.org/10.1557/proc-302-555
https://doi.org/10.1557/proc-302-555
Publikováno v:
The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2 ISBN: 9781489915900
A comparison between the silicon HF/Ethanol cleaning and the HF/H2O one has been performed. Ellipsometric measurements, show the presence of an overlayer 0.3 nm thick versus the 1.2–2.0 nm in the HF/H20 case. Atomic Force Microscopy shows a drastic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::433be466442f31c945d643ff143f8567
https://doi.org/10.1007/978-1-4899-1588-7_23
https://doi.org/10.1007/978-1-4899-1588-7_23
Publikováno v:
MRS Proceedings. 259
The HF/Ethanol cleaning treatment is analyzed in comparison to the HF/H 20 one. The surface analysis is made on silicon wafers with sacrificial oxide layer and silicon wafers with different crystallographic orientation without sacrificial layer. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::41c679bae286d111492766096e445a93
https://doi.org/10.1557/proc-259-119
https://doi.org/10.1557/proc-259-119