Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"F. Domart"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2008 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference.
In semiconductor companies, two steps of electrical measurement are used to monitor wafer processing : 1. process control monitoring (PCM) test done at wafer level in scribe line device, reliability, defects tests are done to insure wafer quality & c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ee1fe05b850b99e12d3ec18d1afce04f
https://doi.org/10.1109/asmc.2008.4529036
https://doi.org/10.1109/asmc.2008.4529036
Autor:
N. Laporte, D. Ottenwaelder, Bruno Delahaye, D. Garroux, F. Domart, J.F. Langlois, F. Nogueira, G. Richou, Jean-Luc Baltzinger, J. Liebault, A. Soudry, D. Donnard, H. Lefevre, J.P. Brun, A. Coudray, P. Fraquet
Publikováno v:
2008 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference.
During the qualification phase of a 0.25 mum technology node for power and RF applications, the reliability test was degraded on the voltage breakdown (Vbd) of the gate oxide, with a potential root cause due to oxide itself. A partitioning has been d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c651cb8a648373855b6ece1ac2aee074
https://doi.org/10.1109/asmc.2008.4529049
https://doi.org/10.1109/asmc.2008.4529049
Autor:
J.-L. Grolier, S. Delabriere, Bruno Delahaye, F. Domart, Jean-Luc Baltzinger, P. Boissy, Malamine Sanogo, A. Zinger, G. Richou
Publikováno v:
2007 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference (ASMC).
Due to device degradations, the metallic contamination is monitored in semiconductor manufacturing lines with analysis of the incoming products and in-line electrical characterization. Some intermittent gate disturb fallout was observed on flash memo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::51c305f36e0a02f99a9c41a8dd7c3ad1
https://doi.org/10.1109/asmc.2007.375095
https://doi.org/10.1109/asmc.2007.375095
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.