Zobrazeno 1 - 10
of 82
pro vyhledávání: '"F. Dayoub"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Thin Solid Films. 337:208-212
The electronic properties of silicon nitride/hydrogenated amorphous silicon (SiN/a-Si:H) interfaces are studied with complementary techniques: quasistatic capacitance measurements achieved on c-Si/SiN/a-Si:H/Al MIS structures, and dark conductivity,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::857fcc88fd2e29f9944db674aa7ddc5e
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01178-x
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(98)01178-x
Autor:
F. Dayoub, Jean-Paul Kleider
Publikováno v:
Physical Review B. 58:10401-10414
The density of localized states in hydrogenated amorphous silicon $(a\ensuremath{-}\mathrm{S}\mathrm{i}:\mathrm{H})$ is studied by means of the quasistatic capacitance technique applied to metal-insulator $a\ensuremath{-}\mathrm{S}\mathrm{i}:\mathrm{
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f18011a064a7ed6413291a1c1cf7e14b
https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10401
https://doi.org/10.1103/physrevb.58.10401
Publikováno v:
Thin Solid Films. 296:137-140
Two kinds of insulators, PECVD silicon nitride (SiN) and DECR silicon dioxide (SiO 2 ), are compared using top gate metal/insulator/semiconductor structures based on amorphous silicon (a-Si:H). The comparison is based on quasistatic capacitance measu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ec20001fa676cb72e0808c6c611c62ad
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(96)09372-8
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(96)09372-8
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. :318-321
Thermal bias annealing experiments have been carried out on aluminum/silicon nitride/hydrogenated amorphous silicon top gate structures, and analyzed by quasistatic capacitance measurements. The quasistatic capacitance versus bias curves always show
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c400b8b242cd0585aef98d63652898e3
https://doi.org/10.1016/0022-3093(95)00695-8
https://doi.org/10.1016/0022-3093(95)00695-8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.