Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"F. Buiguez"'
Publikováno v:
Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1985, 20 (3), pp.143-149. ⟨10.1051/rphysap:01985002003014300⟩
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1985, 20 (3), pp.143-149. ⟨10.1051/rphysap:01985002003014300⟩
Les poly(parachlorométhylstyrène) et poly(parabromostyrène) présentent des propriétés lithographiques intéressantes sous irradiation électronique. Une sensibilité élevée, associée à de bonnes propriétés de résistance à la gravure pla
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::021111440b76f93358c55e9b217abfd3
https://doi.org/10.1051/rphysap:01985002003014300
https://doi.org/10.1051/rphysap:01985002003014300
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 5:315-319
Poly-4-bromostyrene (PBS) is shown to have desirable combination of properties, including high sensitivity and high resolution. As a consequence, it is a very attractive candidate for high performance electron beam lithography. The dependence of resi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5a12ff2551e2328eecf8cc54be2f150f
https://doi.org/10.1016/0167-9317(86)90059-6
https://doi.org/10.1016/0167-9317(86)90059-6
Publikováno v:
Thin Solid Films. 47:235-240
A study was initiated on the behaviour of the total pressure during the sputtering process for a d.c. triode sputtering system. The variations in the total pressure are readily attributed to variations in the reactive gas concentration. Experimental
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::856ebcc9736333a821d1adbf359a2be4
https://doi.org/10.1016/0040-6090(77)90038-4
https://doi.org/10.1016/0040-6090(77)90038-4
Publikováno v:
Physica B+C. 129:291-295
We present new experimental results on optimized MOS transistor with 0.3 μm channel length. The channel doping profile has been optimized to achieve proper threshold voltage with no punchthrough at 3 V. Devices have been fabricated using NMOS proces
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::edd6127d1e0172b8faf184490c6be6f6
https://doi.org/10.1016/0378-4363(85)90588-1
https://doi.org/10.1016/0378-4363(85)90588-1
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
For photolithography to become a technique enabling the submicron field to be reached, research work on resist exposure tools and principles is not in itself sufficient. It is also necessary to try to use all the possibilities offered by technologica
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::59db691319045156ce44397e744bad22
https://doi.org/10.1117/12.941880
https://doi.org/10.1117/12.941880
Publikováno v:
Electron-Beam, X-Ray and Ion-Beam Techniques for Submicron Lithographies II.
This paper describes the application of the tri-level resist system for both optical and electron beam lithographies, in order to improve the resolution.© (1983) COPYRIGHT SPIE--The International Society for Optical Engineering. Downloading of the a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::766c15369266323e3b6f6f2e509f6a25
https://doi.org/10.1117/12.935110
https://doi.org/10.1117/12.935110
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.