Zobrazeno 1 - 10
of 307
pro vyhledávání: '"F. Buchali"'
Autor:
S. Marconi, M. A. Giambra, A. Montanaro, V. Mišeikis, S. Soresi, S. Tirelli, P. Galli, F. Buchali, W. Templ, C. Coletti, V. Sorianello, M. Romagnoli
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 12, Iss 1, Pp 1-10 (2021)
The fast carrier dynamics and ultra-broadband optical properties of graphene make it suitable for optical communications. Here, the authors demonstrate a photo-thermo-electric graphene photodetector integrated on a Si waveguide featuring 105 Gbit s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d82af11c1d704cb0a4ed262df6a7f1f0
Autor:
S, Marconi, M A, Giambra, A, Montanaro, V, Mišeikis, S, Soresi, S, Tirelli, P, Galli, F, Buchali, W, Templ, C, Coletti, V, Sorianello, M, Romagnoli
Publikováno v:
Nature Communications
One of the main challenges of next generation optical communication is to increase the available bandwidth while reducing the size, cost and power consumption of photonic integrated circuits. Graphene has been recently proposed to be integrated with
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::068a4d7aa249f44199faf11cacde410f
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/33547318
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/33547318
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Microelectronics International. 17:31-36
In this paper, Substrate Integrated Packaging (SIP) based on thin film multilayer technology is presented. Coplanar waveguide feedthroughs calculated with 3D‐Finite Differential Methods were manufactured using a ceramic or silicon carrier, gold con
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9cc1b8eb6b1bcba71683a8251446ab39
https://doi.org/10.1108/13565360010306056
https://doi.org/10.1108/13565360010306056
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Franz-Josef Tegude, W. Schlapp, F. Buchali, R. Lösch, C. Heedt, Werner Prost, D. Fritzsche, W. Brockerhoff, H. Nickel
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 41:1685-1690
Impact ionization in the channel of InAlAs/InGaAs HEMT's was shown to be a reason for excess gate leakage current. Hot electrons in the high field region of the channel under the gate generate electron-hole pairs. The generated holes can reach the ga
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5498cbcbedcd0a99e2a0bef830c51f15
https://doi.org/10.1109/16.324575
https://doi.org/10.1109/16.324575
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 124:475-482
GaInP grown by LP-MOVPE is studied with emphasis on high doping behaviour. Our material exhibits a residual background concentration of ND-NA≤5×1015 cm-3. Disilane is used as a Si donor source and an activation efficiency very close to unity witho
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a461fd8fef3555fc0ac435ccd81a01a7
https://doi.org/10.1016/0022-0248(92)90503-b
https://doi.org/10.1016/0022-0248(92)90503-b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.