Zobrazeno 1 - 10
of 795
pro vyhledávání: '"F. Braud"'
Publikováno v:
NPG Neurologie - Psychiatrie - Gériatrie. 22:69-71
Autor:
P. Tomasini, A. Drilon, V. Subbiah, O. Gautschi, F. Braud de, B. Solomon, D. Shao-Weng Tan, G. Alonso, J. Wolf, K. Park, K. Goto, V. Soldatenkova, S. Szymczak, S.S. Barker, T. Puri, A. Bence Lin, H. Loong, B. Besse
Publikováno v:
Revue des Maladies Respiratoires Actualités. 15:228-229
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Prospective Molecular Targets for Natural Killer Cell Immunotherapy against Glioblastoma Multiforme.
Autor:
Cooksey, Luke C.1,2 (AUTHOR) lukecooksey@my.unthsc.edu, Friesen, Derek C.1 (AUTHOR) derekfriesen@my.unthsc.edu, Mangan, Enrique D.1 (AUTHOR) enriquemangan@my.unthsc.edu, Mathew, Porunelloor A.1,2 (AUTHOR) porunelloor.mathew@unthsc.edu
Publikováno v:
Cells (2073-4409). Sep2024, Vol. 13 Issue 18, p1567. 16p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2015 15th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS).
This paper presents a dual-deep-wells process option to completely eliminate the Single Event Latch-up (SEL)of the ATMEL 150nm CMOS SOI technology. TCAD simulations were performed to investigate the efficiency of this process option versus the doping