Zobrazeno 1 - 10 of 705 pro vyhledávání: '"F. Bassani"'
1
Akademický článek
Spatially correlated structural and optical characterization of a single InGaAs quantum well fin selectively grown on Si by microscopy and cathodoluminescence techniques
Autor: S. David, J. Roque, N. Rochat, N. Bernier, L. Piot, R. Alcotte, T. Cerba, M. Martin, J. Moeyaert, Y. Bogumilowizc, S. Arnaud, F. Bertin, F. Bassani, T. Baron
Publikováno v: APL Materials, Vol 4, Iss 5, Pp 056102-056102-6 (2016)
Structural and optical properties of InGaAs quantum well fins (QWFs) selectively grown on Si using the aspect ratio trapping (ART) method in 200 nm deep SiO2 trenches are studied. A new method combining cathodoluminescence, transmission electron micr
Externí odkaz: https://doaj.org/article/f189a257dbdf4a4b8133f8f6b1b4c9f5
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Epitaxial growth of antiphase boundary free GaAs layer on 300 mm Si(001) substrate by metalorganic chemical vapour deposition with high mobility
Autor: R. Alcotte, M. Martin, J. Moeyaert, R. Cipro, S. David, F. Bassani, F. Ducroquet, Y. Bogumilowicz, E. Sanchez, Z. Ye, X. Y. Bao, J. B. Pin, T. Baron
Publikováno v: APL Materials, Vol 4, Iss 4, Pp 046101-046101-6 (2016)
Metal organic chemical vapor deposition of GaAs on standard nominal 300 mm Si(001) wafers was studied. Antiphase boundary (APB) free epitaxial GaAs films as thin as 150 nm were obtained. The APB-free films exhibit an improvement of the room temperatu
Externí odkaz: https://doaj.org/article/b57d9be9181d480fb9c632881acc3157
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Growth strategies to control tapering in Ge nanowires
Autor: P. Periwal, T. Baron, P. Gentile, B. Salem, F. Bassani
Publikováno v: APL Materials, Vol 2, Iss 4, Pp 046105-046105-8 (2014)
We report the effect of PH3 on the morphology of Au catalyzed Ge nanowires (NWs). Ge NWs were grown on Si (111) substrate at 400 °C in the presence of PH3, using vapor-liquid-solid method by chemical vapor deposition. We show that high PH3/GeH4 rati
Externí odkaz: https://doaj.org/article/8e9f7e7efd724c088c5c7d3ebf4049f1
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Influence of substrate biasing on structural, chemical and electrical properties of Al 2 O 3 thin films deposited by PEALD
Autor: S Boubenia, G Lefevre, M Legallais, S Labau, F Bassani, M B Hachemi, G Ghibaudo, B Salem
Publikováno v: Semiconductor Science and Technology
Semiconductor Science and Technology, 2022, 37 (6), pp.065001. ⟨10.1088/1361-6641/ac6287⟩
High-k materials are needed to minimise the gate leakage current in high-speed and high-power switching applications. In this regard, aluminium oxide (Al2O3) deposited by plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) is gaining extensive attention
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8a0c568576c42fe84f3c81e47122131b
https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-03867566
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje