Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"F. Bantien"'
Publikováno v:
Materials Science Forum. :1403-1408
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0bc41f8f26dc910137c239950e43caf8
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.38-41.1403
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.38-41.1403
Publikováno v:
Materials Science Forum. :579-584
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::27af92f9da0615419edab65046b9b2f7
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.10-12.579
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.10-12.579
Autor:
J. Weber, F. Bantien
Publikováno v:
Physical Review B. 37:10111-10117
Manganese-doped ${\mathrm{Al}}_{\mathrm{x}}$${\mathrm{Ga}}_{1\mathrm{\ensuremath{-}}\mathrm{x}}$As samples are investigated by photoluminescence (PL) measurements. The low-temperature PL spectra exhibit the Mn-related donor-to-acceptor pair transitio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fb4fa90242223fed9762a9fd08d36e0c
https://doi.org/10.1103/physrevb.37.10111
https://doi.org/10.1103/physrevb.37.10111
Publikováno v:
Journal of Luminescence. 36:363-367
Broad band absorption and fluorescence spectra are obtained from titanium-doped YAG crystals in the temperature range from 4.2 K to 350 K. The optical transitions are attributed to the trivalent titanium ion, which substitutes for aluminum in the dis
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::52c72ef13807f61b97f7aff8517f3649
https://doi.org/10.1016/0022-2313(87)90153-0
https://doi.org/10.1016/0022-2313(87)90153-0
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 85:194-198
Gallium arsenide quantum wells are grown by liquid phase epitaxy. The growth parameters are carefully adjusted in order to prevent any dissolution of the GaAlAs layer by the GaAs growth solution as well as to eliminate solution carryover. The interfa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3f31edf07b6d4aa1f22904cd1e0851f5
https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90222-3
https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90222-3
Autor:
J. Weber, F. Bantien
Publikováno v:
Solid State Communications. 61:423-426
Our low-temperature photoluminescence studies of Mn-doped AlxGa1−xAs-alloys reveal a linear shift of the Mn-acceptor level with increasing Al-content x. Using the Mn-acceptor as a reference level, we determine a valence-band offset between GaAs and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1215a5de1ea993e589ddc2931564ca97
https://doi.org/10.1016/0038-1098(87)90131-1
https://doi.org/10.1016/0038-1098(87)90131-1
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 61:2803-2806
The incorporation of the lanthanide element erbium in GaAs during growth by liquid‐phase epitaxy is investigated by low‐temperature photoluminescence measurements. After an anneal of the epitaxial layers at 850 °C, a characteristic Er‐associat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::604310ab9a02c0e2a42dce4a239eba76
https://doi.org/10.1063/1.337870
https://doi.org/10.1063/1.337870
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.