Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"F Pérez-Zenteno"'
Autor:
R García-Hernansanz, S Duarte-Cano, F Pérez-Zenteno, D Caudevilla, S Algaidy, E García-Hemme, J Olea, D Pastor, A Del Prado, E San Andrés, I Mártil, E Ros, J Puigdollers, P Ortega, C Voz
According to intermediate band (IB) theory, it is possible to increase the efficiency of a solar cell by boosting its ability to absorb low-energy photons. In this study, we used a hyperdoped semiconductor approach for this theory to create a proof o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b7cae2c7531ccfc55b4f7c886b08d8a8
https://hdl.handle.net/2117/377835
https://hdl.handle.net/2117/377835
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J Olea, G González-Díaz, D Pastor, E García-Hemme, D Caudevilla, S Algaidy, F Pérez-Zenteno, S Duarte-Cano, R García-Hernansanz, A del Prado, E San Andrés, I Mártil, Yao-Jen Lee, Tzu-Chieh Hong, Tien-Sheng Chao
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 38:024004
Microwave annealing (MWA) processes were used for the first time to obtain Ti supersaturated Si. High Ti doses were ion implanted on Si substrates and subsequently MWA processed to recrystallize the amorphous layer. The resulting layers were monocrys
Autor:
J Olea, G González-Díaz, D Pastor, E García-Hemme, D Caudevilla, S Algaidy, F Pérez-Zenteno, S Duarte-Cano, R García-Hernansanz, A del Prado, E San Andrés, I Mártil
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 38:024001
In the scope of supersaturated semiconductors for infrared detectors, we implanted Si samples with Ti at high doses and processed them by rapid thermal annealing (RTA) to recover the crystal quality. Also, for comparative purposes, some samples were
Autor:
D Caudevilla, S Algaidy, F Pérez-Zenteno, S Duarte-Cano, R García-Hernansanz, J Olea, E San Andrés, A del Prado, R Barrio, I Torres, E García-Hemme, D Pastor
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 37:124001
In this work we have successfully hyperdoped germanium with tellurium with a concentration peak of 1021 cm−3. The resulting hyperdoped layers show good crystallinity and sub-bandgap absorption at room temperature which makes the material a good can
Autor:
A. del Prado, E. García-Hemme, Javier Olea, David Pastor, F. Pérez-Zenteno, D. Caudevilla, S. Algaidy, R. García-Hernansanz, R. Barrio, E. San Andrés, I. Torres
Publikováno v:
E-Prints Complutense. Archivo Institucional de la UCM
instname
instname
This article studies the physical and electrical behavior of indium tin oxide layers (ITO) grown by an unconventional technique: High Pressure Sputtering (HPS), from a ceramic ITO target in a pure Ar atmosphere. This technique has the potential to re
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.