Zobrazeno 1 - 10
of 338
pro vyhledávání: '"F Cristiano"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Boninelli, R. Milazzo, R. Carles, F. Houdellier, R. Duffy, K. Huet, A. La Magna, E. Napolitani, F. Cristiano
Publikováno v:
APL Materials, Vol 6, Iss 5, Pp 058504-058504-7 (2018)
Laser Thermal Annealing (LTA) at various energy densities was used to recrystallize and activate amorphized germanium doped with phosphorous by ion implantation. The structural modifications induced during the recrystallization and the related dopant
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/55b55139fb754a228021841f44efc0b1
Autor:
F. Lodato, L. Ceroni, F. Buonfiglioli, R. Schiumerini, S. Giovanelli, F. Cristiano, P. Apolito, N.P. Longo, V. Cennamo
Publikováno v:
Digestive and Liver Disease. 55:S132-S133
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f916629609589724fa99821709f7c5d5
https://doi.org/10.1016/s1590-8658(23)00336-5
https://doi.org/10.1016/s1590-8658(23)00336-5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanotechnology. 34(10)
Vertical nanostructure technologies are becoming more important for the down scaling of nanoelectronic devices such as logic transistors or memories. Such devices require dense vertical nanostructured channel arrays (VNCA) that can be fabricated thro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::6c3b96fd21187bbd051a95becda51508
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/36399779
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/36399779
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
N. Chery, M. Zhang, R. Monflier, N. Mallet, G. Seine, V. Paillard, J. M. Poumirol, G. Larrieu, A. S. Royet, S. Kerdilès, P. Acosta-Alba, M. Perego, C. Bonafos, F. Cristiano
Publikováno v:
Journal of Applied Physics
Journal of Applied Physics, 2022, 131 (6), pp.065301
Journal of Applied Physics, 2022, 131 (6), pp.065301
International audience; A thorough study of the phosphorus (P) heavy doping of thin Silicon-On-Insulator (SOI) layers by UV nanosecond Laser Thermal Annealing (LTA) is presented in this work. As a function of the implant dose and laser annealing cond
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5cc9638e734517d622900dffa44df4b7
https://hal.science/hal-03454821
https://hal.science/hal-03454821
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.