Zobrazeno 1 - 10
of 488
pro vyhledávání: '"F Boeuf"'
Autor:
J. Schuhmann, L. Lazzari, M. Morassi, A. Lemaître, I. Sagnes, G. Beaudoin, M.I. Amanti, F. Boeuf, F. Raineri, F. Baboux, S. Ducci
Publikováno v:
PRX Quantum, Vol 5, Iss 4, p 040321 (2024)
The demand for integrated photonic chips combining the generation and manipulation of quantum states of light is steadily increasing, driven by the need for compact and scalable platforms for quantum information technologies. While photonic circuits
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0d65460b93c1409dbf74fe6b42aa0dab
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Elbaz, M. El Kurdi, A. Aassime, S. Sauvage, X. Checoury, I. Sagnes, C. Baudot, F. Boeuf, P. Boucaud
Publikováno v:
APL Photonics, Vol 3, Iss 10, Pp 106102-106102-9 (2018)
Strain engineering is a powerful approach in micro- and optoelectronics to enhance carrier mobility, tune the bandgap of heterostructures, or break lattice symmetry for nonlinear optics. The dielectric stressors and bonding interfaces used for strain
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5a6b2213291542cbbe78f998f9e2a053
Autor:
D. Benedikovic, G. Aubin, L. Virot, J.-M. Hartmann, F. Amar, X. Le Roux, C. Alonso-Ramos, E. Cassan, D. Marris-Morini, F. Boeuf, B. Szelag, L. Vivien
Publikováno v:
2022 Photonics North (PN).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b6676a46f46bdffc4e616fd4afdba7fd
https://doi.org/10.1109/pn56061.2022.9908338
https://doi.org/10.1109/pn56061.2022.9908338
Autor:
S. Monfray, S. Guerber, A. Montagné, D. Fowler, P. Grosse, J. Planchot, D. Ristoiu, F. Baron, M. Brihoum, L. Babaud, A. Taute, E. Kempf, K. Rovayaz, P. Chantraine, S. Delmedico, F. Leverd, L. Balme, D. Pellissier, K. Haxaire, M. Guillermet, S. Mermoz, M. Hello, S. Jan, P. Chevalier, F. Boeuf
Publikováno v:
Optical Fiber Communication Conference (OFC) 2022.
In this paper we present the first integration of a 2D Optical Phased Array (OPA) for 905nm LIDAR applications on our 300mm SWIR photonic platform DAPHNE, based on Si & SiN components.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bbaf3690ef8682ed787a39a000bfed76
https://doi.org/10.1364/ofc.2022.th1e.5
https://doi.org/10.1364/ofc.2022.th1e.5
Autor:
F. Boeuf, C. Barrera, A. Fincato, H. Tang, S. Guerber, S. Monfray, S. Ohno, D. Fowler, I. Charlet, L. Gianini, A. Simbula, L. Maggi, M. Shaw, K. Toprasertpong, S. Takagi, M. Takenaka
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6c60e913d6ba4ab54754fe624279b543
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720504
https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720504
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Moustafa El Kurdi, Philippe Boucaud, Vincent Reboud, Jean-Michel Hartmann, Nicolas Pauc, Emilie Sakat, Alexei Chelnokov, Vincent Calvo, F. Bœuf
Publikováno v:
Photoniques
Photoniques, EDP Sciences, 2021, pp.40-43. ⟨10.1051/photon/202110940⟩
Photoniques, 2021, 109, pp.40-43. ⟨10.1051/photon/202110940⟩
Photoniques, EDP Sciences, 2021, pp.40-43. ⟨10.1051/photon/202110940⟩
Photoniques, 2021, 109, pp.40-43. ⟨10.1051/photon/202110940⟩
International audience; Nous présentons les récents développements scientifiques et techniques liés aux sources lasers infrarouges en micro-cavités à base d’alliages germanium-étain (GeSn). Ces alliages sont des matériaux semi-conducteurs d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::12b43ec36b326c46a17df8f34b0bf434
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03322277/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03322277/document
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ef1ec77c4214a1db319e9d82d9552a0a
https://doi.org/10.7567/ssdm.2020.e-9-03
https://doi.org/10.7567/ssdm.2020.e-9-03
Autor:
A. Bjelajac, M. Gromovyi, E. Sakat, B. Wang, G. Patriarche, N. Pauc, V. Calvo, P. Boucaud, F. Boeuf, A. Chelnokov, V. Reboud, M. Frauenrath, J.-M. Hartmann, M. El Kurdi
Publikováno v:
Optics Express. 30:3954
GeSn alloys are the most promising direct band gap semiconductors to demonstrate full CMOS-compatible laser integration with a manufacturing from Group-IV materials. Here, we show that room temperature lasing, up to 300 K, can be obtained with GeSn.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::27486f3fd98a0f0800348f08860a68a5
https://doi.org/10.1364/oe.449895
https://doi.org/10.1364/oe.449895