Dependence of N-polar GaN rod morphology on growth parameters during selective area growth by MOVPE

Autor: Li, Shunfeng, Wang, Xue, Mohajerani, Matin Sadat, Fündling, Sönke, Erenburg, Milena, Wei, Jiandong, Wehmann, Hergo-Heinrich, Waag, Andreas, Mandl, Martin, Bergbauer, Werner, Strassburg, Martin

Publikováno v: In Journal of Crystal Growth 1 February 2013 364:149-154

3D device processing of GaN nanostructures for electronic and optoelectronic sensor platforms

Autor: Wasisto, Hutomo Suryo, Gülink, Jan, Mariana, Shinta, Bornemann, Steffen, Yulianto, Nursidik, Yu, Feng, Strempel, Klaas, Fatahilah, Muhammad Fahlesa, Granz, Tony, Markiewicz, Nicolai, Bezshlyakh, Daria, Scholz, Gregor, Syamsu, Iqbal, Boht, Heidi, Hartmann, Jana, Fündling, Sönke, Witzigmann, Bernd, Prades, Joan Daniel, Strassburg, Martin, Lugauer, Hans-Jürgen, Waag, Andreas

Publikováno v: """SPIE Photonics West 2018, Conference OE126 “Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XXII"""""""
"SPIE Photonics West 2018, Conference OE126 “Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XXII"""

GaN nanostructures with vertical 3D architecture, well-designed geometry, high aspect ratio, and large area coverage have been continuously developed as an alternative path towards novel nanodevices for enhanced multiple optoelectronic and electronic

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::99870337228ce18c6c1549f181357887

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.