Zobrazeno 1 - 10
of 249
pro vyhledávání: '"F, Rampazzo"'
Autor:
C. De Santi, M. Buffolo, I. Rossetto, T. Bordignon, E. Brusaterra, A. Caria, F. Chiocchetta, D. Favero, M. Fregolent, F. Masin, N. Modolo, A. Nardo, F. Piva, F. Rampazzo, C. Sharma, N. Trivellin, G. Zhan, M. Meneghini, E. Zanoni, G. Meneghesso
Publikováno v:
e-Prime: Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy, Vol 1, Iss , Pp 100018- (2021)
Several mechanisms may contribute to the degradation of GaN transistors; in this paper we discuss the main processes that limit the lifetime of GaN power devices, with focus on the following relevant aspects: (i) the degradation/breakdown induced by
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/78df0b8f79f44b6cb96de56f0a33eabf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
F. Chiocchetta, C. De Santi, F. Rampazzo, K. Mukherjee, Jan Grünenpütt, Daniel Sommer, Hervé Blanck, Benoit Lambert, A. Gerosa, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini
Publikováno v:
Microelectronics Reliability
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::46ccbf1b52b1d98d3cdb90fc4c8f192f
Autor:
E. Romano, L. Bergamin, D. Berto, F.L. Chiocci, E. Miccadei, G. Paglia, V. Piattelli, G. Pierfranceschi, F. Rampazzo, A. Sorci, E. Taddei Ruggiero
Publikováno v:
Marine Geology. 455:106952
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cfd843dff750ebab7c6109a30a30d04a
https://doi.org/10.1016/j.margeo.2022.106952
https://doi.org/10.1016/j.margeo.2022.106952
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Haoran Li, Stacia Keller, Gaudenzio Meneghesso, C. De Santi, Xun Zheng, Enrico Zanoni, F. Rampazzo, Umesh K. Mishra, C. Calascione, Matthew Guidry, Chandan Sharma, Brian Romanczyk, Matteo Meneghini, F. Chiocchetta
Publikováno v:
IRPS
We investigate the static and dynamic (trapping) performance of N-polar Gallium Nitride MIS-HEMT devices as a function of the aluminum concentration in the top cap layer (22%, 34% and 46%). The analysis is based on combined dc characterization, doubl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::85ebef5b26c2e3cc484bbf02db401b2f
https://doi.org/10.1109/irps46558.2021.9405111
https://doi.org/10.1109/irps46558.2021.9405111
Autor:
G. Giorgi, D. Berto, M. Formalewicz, C. Gion, F. Rampazzo, M. Giani, I. Hatzianestis, H. Kaberi, C. Parinos, C. Tsangaris, C. Zeri, M. Fafandjel, N. Mikac, D. Joksimic, A. Castelli, M. Dobnikar, M. Poje, M. Velikonja, M. Cara, B. Cermelj, S. Matijević, I. Ujević
Review of sampling, analytical and QA protocols adopted in the ADRION region for contaminant monitoring.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9fe54aa2019839d8603298d02988ffc0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.