Zobrazeno 1 - 10
of 98
pro vyhledávání: '"Evstropov, V."'
Autor:
Mintairov, M. A.1 (AUTHOR) mamint@mail.ioffe.ru, Evstropov, V. V.1 (AUTHOR), Mintairov, S. A.1 (AUTHOR), Nakhimovich, M. V.1 (AUTHOR), Saliy, R. A.1 (AUTHOR), Shvarts, M. Z.1 (AUTHOR), Kalyuzhniy, N. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 2023 Suppl 2, Vol. 49, pS81-S84. 4p.
Autor:
Mintairov, S. A.1 (AUTHOR) mintairov@scell.ioffe.ru, Evstropov, V. V.1 (AUTHOR), Mintairov, M. A.1 (AUTHOR), Nakhimovich, M. V.1 (AUTHOR), Salii, R. A.1 (AUTHOR), Shvarts, M. Z.1 (AUTHOR), Kalyuzhnyy, N. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 2023 Suppl 2, Vol. 49, pS78-S80. 3p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mintairov, M. A.1 (AUTHOR) mamint@mail.ioffe.ru, Evstropov, V. V.2 (AUTHOR), Mintairov, S. A.2 (AUTHOR), Nadtochii, A. M.1 (AUTHOR), Salii, R. A.1 (AUTHOR), Shvarts, M. Z.2 (AUTHOR), Kalyuzhnyi, N. A.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics Letters. Jun2020, Vol. 46 Issue 6, p599-602. 4p.
Autor:
Mintairov, M. A.1 (AUTHOR) mamint@mail.ioffe.ru, Evstropov, V. V.1 (AUTHOR), Mintairov, S. A.1 (AUTHOR), Shvarts, M. Z.1 (AUTHOR), Kalyuzhnyy, N. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Nov2019, Vol. 53 Issue 11, p1535-1539. 5p.
Autor:
Mintairov, M. A.1 (AUTHOR) mamint@mail.ioffe.ru, Evstropov, V. V.1 (AUTHOR), Mintairov, S. A.1 (AUTHOR), Shvartz, M. Z.1 (AUTHOR), Kalyuzhnyi, N. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics Letters. Apr2020, Vol. 46 Issue 4, p332-334. 3p.
Autor:
Mintairov, M. A.1,2 mamint@mail.ioffe.ru, Evstropov, V. V.2, Mintairov, S. A.2, Salii, R. A.1,2, Shvarts, M. Z.2, Kalyuzhnyy, N. A.2
Publikováno v:
Semiconductors. Oct2018, Vol. 52 Issue 10, p1244-1248. 5p.
Autor:
null Kalyuzhnyy N. A., null Shvarts M.Z., null Salii R.A., null Nakhimovich M. V., null Mintairov S. A., null Evstropov V. V., null Mintairov M. A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:26
The efficiency of GaInP/GaAs/InxGa1-xAs triple-junction solar cells obtained by replacing (in the widely used "classical" GaInP / GaAs / Ge heterostructure) the lower germanium with InxGa1-xAs subcell formed using the metamorphic growth technology ha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1682bc8715e683a90fb462768de916ab
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.13.53388.18888
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.13.53388.18888
Autor:
Mintairov, M. A.1 (AUTHOR) mamint@mail.ioffe.ru, Evstropov, V. V.1 (AUTHOR), Mintairov, S. A.1 (AUTHOR), Shvarts, M. Z.1 (AUTHOR), Kalyuzhnyy, N. A.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics Letters. Nov2019, Vol. 45 Issue 11, p1100-1102. 3p.
Autor:
Mintairov, M.1 mamint@mail.ioffe.ru, Evstropov, V.1, Mintairov, S.1, Timoshina, N.1, Shvarts, M.1, Kalyuzhnyy, N.1
Publikováno v:
Semiconductors. Jul2016, Vol. 50 Issue 7, p970-975. 6p.