Zobrazeno 1 - 10
of 63
pro vyhledávání: '"Evans, Keith R."'
Autor:
Kucukgok, Bahadir, Mandia, David J., Leach, Jacob H., Evans, Keith R., Eastman, Jeffrey A., Zhou, Hua, Hryn, John, Elam, Jeffrey W., Yanguas-Gil, Angel
We report the optical, electrical, and structural properties of Si doped $\beta$-Ga$_2$O$_3$ films grown on (010)-oriented $\beta$-Ga$_2$O$_3$ substrate via HVPE. Our results show that, despite growth rates that are more than one order of magnitude f
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1906.09306
Autor:
Liu, Fang, Huang, Li, Kamaladasa, Ranga, Picard, Yoosuf N., Preble, Edward A., Paskova, Tanya, Evans, Keith R., Davis, Robert F., Porter, Lisa M.
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 February 2014 387:16-22
Autor:
Liu, Guangyu, Zhang, Jing, Li, Xiao-Hang, Huang, G.S., Paskova, Tanya, Evans, Keith R., Zhao, Hongping, Tansu, Nelson
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2012 340(1):66-73
Autor:
Evans, Keith R.
Publikováno v:
Malaya Law Review, 1986 Jul 01. 28(1), 87-101.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/24864715
Autor:
Evans, Keith R., Fordham, Margaret
Publikováno v:
Malaya Law Review, 1985 Dec 01. 27(2), 284-312.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/24864682
Publikováno v:
Addiction. Sep1997, Vol. 92 Issue 9, p1207-1212. 6p. 1 Graph.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.