Zobrazeno 1 - 10
of 253
pro vyhledávání: '"Evanescent microwave probe"'
Publikováno v:
In Journal of the European Ceramic Society 2006 26(10):1801-1805
Autor:
Wang, Zhengyu, Kelly, Michael A., Shen, Zhi-Xun, Wang, Gang, Xiang, Xiao-Dong, Wetzel, Jeffery T.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 7/15/2002, Vol. 92 Issue 2, p808. 4p. 1 Chart, 3 Graphs.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Integrated Ferroelectrics. 77:45-50
Thin films of BaxSr1−xTiO3 (BST) serial materials have the advantages of adjustable tunability and are good candidates for the application in DRAM and microwave devices. However, these films usually have loss tangent higher than the order of 0.01 a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7892910370e93629c2384c9414a7204e
https://doi.org/10.1080/10584580500414044
https://doi.org/10.1080/10584580500414044
Publikováno v:
Review of Scientific Instruments. 70:1725-1729
In this article we describe evanescent field imaging of material nonuniformities with a record resolution of 0.4 μm at 1 GHz (λg/750 000), using a resonant stripline scanning microwave probe. A chemically etched tip is used as a point-like evanesce
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c4e86bdf6160a9c55cfa87cf2391d0a5
https://doi.org/10.1063/1.1149658
https://doi.org/10.1063/1.1149658
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 92:808-811
An evanescent microwave probe (EMP) has been used to characterize low-k dielectric films grown on Si wafers at 2 GHz. Several families of low-k dielectric films with varying film thicknesses have been examined. The EMP signal (shift in resonant frequ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f60e2616657c578a90256010f17747e8
https://doi.org/10.1063/1.1481199
https://doi.org/10.1063/1.1481199