Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Etch chemistry"'
Autor:
Paul K. Hurley, Christopher R. Cormier, Christopher L. Hinkle, Rafik Addou, Adam T. Barton, Robert M. Wallace, Xiaoye Qin, Lee A. Walsh, Christopher M. Smyth
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces. 11:32144-32150
The unique properties of topological insulators such as Bi2Se3 are intriguing for their potential implementation in novel device architectures for low power and defect-tolerant logic and memory devices. Recent improvements in the synthesis of Bi2Se3
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::950171a7cc13909e220594b61aa58d66
https://doi.org/10.1021/acsami.9b10625
https://doi.org/10.1021/acsami.9b10625
Autor:
Pande, Ashish Arunkumar
Fluoride-containing solutions are widely used to etch silicon dioxide-based films. A critical issue in integrated circuit (IC) and microelectromechanical systems (MEMS) fabrication is achievement of adequate selectivity during the etching of differen
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/1853/43600
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.