Zobrazeno 1 - 10
of 1 722
pro vyhledávání: '"Etch chemistry"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering March 2011 88(3):207-212
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2008 516(23):8712-8716
Autor:
Raluca Tiron, Patricia Pimenta-Barros, Sébastien Barnola, Aurelien Sarrazin, Nicolas Posseme, Christophe Cardinaud
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, AVS through the American Institute of Physics, 2019, 37 (3), pp.030601. ⟨10.1116/1.5090395⟩
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, 2019, 37 (3), pp.030601. ⟨10.1116/1.5090395⟩
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, AVS through the American Institute of Physics, 2019, 37 (3), pp.030601. ⟨10.1116/1.5090395⟩
Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, 2019, 37 (3), pp.030601. ⟨10.1116/1.5090395⟩
Directed self-assembly of block copolymers is one of the most promising solutions to reach sub-20 nm patterns. A critical challenge of this technique is the PMMA removal selectively to polystyrene (PS). A very high PMMA:PS selectivity (>10:1) is requ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::63ed25ac0e4d6339422f3a0241d89aac
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02387281
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02387281
Publikováno v:
International Symposium on Microelectronics. 2016:000463-000468
A wet silicon etch chemistry and a process using the chemistry as a simple and cost-effective alternative to the polish/plasma etch silicon thinning process are presented in this paper. The new etch chemistry improves the Si etch rate over traditiona
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a1119e5d39e0b2cdd3689ee6b1d65ef1
https://doi.org/10.4071/isom-2016-tha41
https://doi.org/10.4071/isom-2016-tha41
Autor:
Digbijoy N. Nath, Prosenjit Sen, Colin J. Humphreys, Ivor Guiney, Rangarajan Muralidharan, Niranjan S
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B. 38:032207
The authors study the effect of etch chemistry and metallization scheme on recessed Au-free Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures on silicon. The effect of variation in the recess etch chemistry on the uniformity of Ohmic contact resistance ha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d375d3e479ce484260cd2ffccce64494
https://doi.org/10.1116/1.5144509
https://doi.org/10.1116/1.5144509
Autor:
Jerome Daviot, Simone Capecchi, Reiner Willeke, Michael Parthenopoulos, Christian Pizzetti, Tanya A. Atanasova
Publikováno v:
Solid State Phenomena. 255:291-296
This paper demonstrates how a low undercut Ti etchant developed by Technic France can be successfully introduced in a high volume manufacturing Fab for etching the under bump metallization (UBM). The Ti etchant has been tested on 300mm wafer producti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a0f6de570683edfda4e0fcd0b9f3929d
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.255.291
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/ssp.255.291
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.