Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"Esmanhotto, E."'
Autor:
Esmanhotto, E., Hirtzlin, T., Castellani, N., Martin, S., Giraud, B., Andrieu, F., Nodin, J. F., Querlioz, D., Portal, J-M., Vianello, E.
Crossbar arrays of resistive memories (RRAM) hold the promise of enabling In-Memory Computing (IMC), but essential challenges due to the impact of device imperfection and device endurance have yet to be overcome. In this work, we demonstrate experime
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2203.01680
Autor:
Moro, Filippo, Esmanhotto, E., Hirtzlin, T., Castellani, N., Trabelsi, A., Dalgaty, T., Molas, G., Andrieu, F., Brivio, S., Spiga, S., Indiveri, G., Payvand, M., Vianello, E.
Spiking Neural Networks (SNNs) can unleash the full power of analog Resistive Random Access Memories (RRAMs) based circuits for low power signal processing. Their inherent computational sparsity naturally results in energy efficiency benefits. The ma
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2202.05094
Autor:
Noel, J-P., Nodin, J -F., Ly, D., Noel, J-P, Giraud, B., Royer, P., Esmanhotto, E., Castellani, N., Dalgaty, T., Nodin, J-F, Fenouillet-Beranger, C., Nowak, E., Vianello, E.
Publikováno v:
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, France. pp.35.5.1-35.5.4, ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993621⟩
2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, France. pp.35.5.1-35.5.4, ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993621⟩
International audience; Resistive Random Access Memories (RRAMs) are a promising solution to implement Ternary Content Addressable Memories (TCAMs) that are more area-and energy-efficient with respect to Static Random Access Memory (SRAM)-based TCAMs
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::613573364f666988b7d7b8306ffc8dd0
https://hal.science/hal-02939338/document
https://hal.science/hal-02939338/document
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
delphine bosch, François Andrieu, Lorenzo Ciampolini, Adam Makosiej, Olivier Weber, Xavier Garros, Joris Lacord, Jacques Cluzel, Esmanhotto, E., Rios, M., Lang, S., Giraud, B., Rémy Berthelon, Gérald Cibrario, Laurent Brunet, Perrine Batude, Claire Fenouillet-Beranger, Lattard, D., Colinge, J. P., Francis Balestra, Maud Vinet
Publikováno v:
2019 VLSI-TSA Proceedings
2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (2019 VLSI-TSA)
2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (2019 VLSI-TSA), Apr 2019, Taiwan, China
HAL
2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (2019 VLSI-TSA)
2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (2019 VLSI-TSA), Apr 2019, Taiwan, China
HAL
session T8: Transistor; International audience; For the first time, we propose a 3D-monolithic SRAM architecture with a local back-plane for top-tier transistors enabling local back-bias assist techniques without area penalty as well as the capabilit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e306a24791f29ed587357c11b5628d96
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02015950
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-02015950
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.