Zobrazeno 1 - 10
of 27
pro vyhledávání: '"Eshun, Kwesi"'
With the advances in low dimensional transition metal dichalcolgenides (TMDCs) based metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the interface between semiconductors and dielectrics has received considerable attention due to its drama
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1612.09326
In this work, Dirac fermions have been obtained and engineered in one-dimensional (1D) zigzag phosphorus nanotubes (ZPNTs). We have performed a comprehensive first-principle computational study of the electronic properties of ZPNTs with various diame
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1610.09021
Autor:
Yu, Sheng, Ran, Shunjie, Zhu, Hao, Eshun, Kwesi, Shi, Chen, Jiang, Kai, Gu, Kunming, Seo, Felix Jaetae, Li, Qiliang
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 January 2018 428:593-597
Publikováno v:
In Solid State Electronics April 2015 106:44-49
Publikováno v:
In Applied Surface Science 15 January 2015 325:27-32
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2015, Vol. 118 Issue 16, p164306-1-164306-6, 6p, 1 Diagram, 4 Graphs
With the advances in low dimensional transition metal dichalcolgenides (TMDCs) based metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), the interface between semiconductors and dielectrics has received considerable attention due to its drama
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::621557ac9c4eee4722da0c85511073df
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.