Zobrazeno 1 - 10 of 155 pro vyhledávání: '"Esaev A"'
1
Akademický článek
Electron and hole injection barriers between silicon substrate and RF magnetron sputtered In2O3 : Er films
Autor: Konstantin V. Feklistov, Aleksey G. Lemzyakov, Alexander A. Shklyaev, Dmitry Yu. Protasov, Alexander S. Deryabin, Evgeny V. Spesivsev, Dmitry V. Gulyaev, Alexey M. Pugachev, Dmitriy G. Esaev
Publikováno v: Modern Electronic Materials, Vol 9, Iss 2, Pp 57-68 (2023)
In2O3 : Er films have been synthesized on silicon substrates by RF magnetron sputter deposition. The currents through the synthesized metal/oxide/semiconductor (MOS) structures (Si/In2O3 : Er/In-contact) have been measured for n and p type conductivi
Externí odkaz: https://doaj.org/article/f8985288c9a2428194c008f4d0f308ec
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Suppression of planktonic and biofilm of Escherichia coli by the synergistic lantibiotics–polymyxins combinations.
Autor: Polyudova, Tatyana, Lemkina, Larisa, Eroshenko, Daria, Esaev, Artem
Publikováno v: Archives of Microbiology; Apr2024, Vol. 206 Issue 4, p1-13, 13p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si\In2O3:Er films.
Autor: K V Feklistov, A G Lemzyakov, I P Prosvirin, A A Gismatulin, A A Shklyaev, Y A Zhivodkov, G К Krivyakin, A I Komonov, А S Kozhukhov, E V Spesivsev, D V Gulyaev, D S Abramkin, A M Pugachev, D G Esaev, G Yu Sidorov
Publikováno v: Materials Research Express, Vol 7, Iss 12, p 125903 (2020)
RF magnetron-deposited Si\In _2 O _3 :Er films have the structure of the single-crystalline bixbyite bcc In _2 O _3 nanowires bunched into the columns extended across the films. The obtained films have a typical In _2 O _3 optical band gap of 3.55 eV
Externí odkaz: https://doaj.org/article/fb6f878faf224a02bcb567b91d396ae6
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si\In2O3:Er films
Autor: D. V. Gulyaev, G. К Krivyakin, Igor P. Prosvirin, D. S. Abramkin, G. Yu Sidorov, A. I. Komonov, A. M. Pugachev, K. V. Feklistov, Y. A. Zhivodkov, E. V. Spesivsev, A. G. Lemzyakov, A. A. Shklyaev, A. A. Gismatulin, А S. Kozhukhov, D. G. Esaev
Publikováno v: Materials Research Express. 7:125903
RF magnetron-deposited Si\In2O3:Er films have the structure of the single-crystalline bixbyite bcc In2O3 nanowires bunched into the columns extended across the films. The obtained films have a typical In2O3 optical band gap of 3.55 eV and demonstrate
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::41aa70dbee7103649808357e8e20bd7b
https://doi.org/10.1088/2053-1591/abd06b
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje