Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"Ermachikhin, A. V."'
Autor:
Ermachikhin, A. V.1 (AUTHOR) al.erm@mail.ru, Vorobyov, Yu. V.1 (AUTHOR), Trusov, E. P.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Instruments & Experimental Techniques. Feb2022, Vol. 65 Issue 1, p123-127. 5p.
Publikováno v:
Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron & Neutron Techniques; Oct2023, Vol. 17 Issue 5, p1134-1142, 9p
Autor:
Ermachikhin, A. V.1 (AUTHOR) al.erm@mail.ru, Vorobyov, Yu. V.1 (AUTHOR), Maslov, A. D.1 (AUTHOR), Trusov, E. P.1 (AUTHOR), Litvinov, V. G.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Oct2020, Vol. 54 Issue 10, p1254-1259. 6p.
Autor:
Ermachikhin, A. V.1 al.erm@mail.ru, Litvinov, V. G.1
Publikováno v:
Instruments & Experimental Techniques. Mar2018, Vol. 61 Issue 2, p277-282. 6p.
Autor:
null Ivanov A. I., null Skoptsova G. N., null Trusov E. P., null Ermachikhin A. V., null Litvinov V. G., null Tregulov V. V., null Melnik N. N.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:290
It is shown that during a porous Si film formation by metal-stimulated etching a barrier layer is formed on a monocrystal p-Si substrate. The rectifying properties of the semiconductor structure can be explained by the fixation of the Fermi level in
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.