Zobrazeno 1 - 10 of 27 pro vyhledávání: '"Ergashov, Y. S."'
2
Akademický článek
Structure and Properties of a Bilayer Nanodimensional CoSi2/Si/CoSi2/Si System Obtained by Ion Implantation.
Autor: Ergashov, Y. S.1 yergashev@mail.ru, Umirzakov, B. E.1
Publikováno v: Technical Physics. Dec2018, Vol. 63 Issue 12, p1820-1823. 4p. 2 Diagrams, 4 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Distribution of Molybdenum Atoms over Depth of the Surface Layer of a Niobium Single Crystal Produced by Ion Bombardment.
Autor: Ergashov, Y. S., Donaev, S. B.
Publikováno v: Journal of Nano- & Electronic Physics; 2022, Vol. 14 Issue 4, p1-3, 3p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Escape Depth of Secondary and Photoelectrons from CdTe Films with a Ba Film.
Autor: Umirzakov, B. E., Tashmukhamedova, D. A., Tursunov, M. A., Ergashov, Y. S., Allayarova, G. Kh.
Publikováno v: Technical Physics; Jul2019, Vol. 64 Issue 7, p1051-1054, 4p, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Composition and Structure of a Nanofilm Multilayer System of the SiO2/Si/CoSi2/Si(111) Type Obtained via Ion Implantation.
Autor: Ergashov, Y. S., Umirzakov, B. E.
Publikováno v: Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron & Neutron Techniques; Jul2018, Vol. 12 Issue 4, p816-818, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Formation of photoelectron spectra of alloys niobium-molybdenum-zirconium.
Autor: Ergashov, Yokub, Donaev, Burkhon, Khudainazarov, Sherzod, Normuminov, Jakhongir
Publikováno v: E3S Web of Conferences; 6/2/2021, Vol. 264, p1-6, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Composition and Morphology of A Si(111) Surface with a SiO2 Surface Film of Different Thicknesses.
Autor: Umirzakov, B. E.1,2 (AUTHOR), Donaev, S. B.1 (AUTHOR) sardor.donaev@gmail.com, Yorkulov, R. M.1 (AUTHOR), Ashurov, R. Kh.2 (AUTHOR), Rotshtein, V. M.2 (AUTHOR)
Publikováno v: Semiconductors. Apr2022, Vol. 56 Issue 4, p266-268. 3p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje