Zobrazeno 1 - 10
of 46
pro vyhledávání: '"Eranna, G."'
Autor:
Eranna, G., Kakati, D.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Nov1983, Vol. 54 Issue 11, p6754-6756, 3p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Critical Reviews in Solid State & Materials Science. Sep-Dec2004, Vol. 29 Issue 3/4, p111-188. 78p. 24 Charts, 4 Graphs.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry - Part C; February 2014, Vol. 118 Issue: 5 p2735-2748, 14p
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry - Part C; July 2008, Vol. 112 Issue: 30 p11199-11204, 6p
Autor:
Dixit, B B, Rao, K S N, Gautam, G K, Suryanarayana, P, Eranna, G, Joshi, B C, Deshwal, V P, Varma, R
Publikováno v:
IETE Technical Review; January 1998, Vol. 15 Issue: 1-2 p5-11, 7p
Autor:
Eranna, G., Kakati, Devdas
Publikováno v:
IndraStra Global.
A new process model for phosphorus diffusion into silicon is proposed. It is based on the concept that the phosphorus profile can be fitted using two independent Gaussian profiles for two diffusion coefficients, and results in the kink and tail struc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=issn23813652::ab364125739357b6953b80602fd7465a
https://igi.indrastra.com/items/show/68479
https://igi.indrastra.com/items/show/68479