Zobrazeno 1 - 10 of 24 pro vyhledávání: '"Epworth, R. W."'
1
Akademický článek
1/f noise of indium near the melting transition.
Autor: Scofield, John H., Epworth, R. W., Tennant, D. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1989, Vol. 66 Issue 5, p2032, 5p, 2 Black and White Photographs, 2 Diagrams, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Performance of a seven-segment iridium oxide electrochromic display.
Autor: Shay, J. L., Schiavone, L. M., Epworth, R. W., Taylor, D. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1982, Vol. 53 Issue 9, p6004-6006, 3p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Feedback sharpening of Josephson interferometer switching characteristics.
Autor: Howard, R. E., Jackel, L. D., Epworth, R. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1980, Vol. 51 Issue 11, p5898-5900, 3p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
A simple measurement of absolute solar-cell efficiency.
Autor: Shay, J. L., Wagner, Sigurd, Epworth, R. W., Bachmann, K. J., Buehler, E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1977, Vol. 48 Issue 11, p4853-4855, 3p
Zobrazit plný text záznamu
5
Conference
Josephson tunneling through Ge-Sn barriers.
Autor: Hu, E. L., Jackel, L. D., Epworth, R. W.
Publikováno v: AIP Conference Proceedings; Jul1978, Vol. 44 Issue 1, p380-383, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
High resolution germanium zone plates and apertures for soft x-ray focalometry.
Autor: Tennant, D. M., Raab, E. L., Becker, M. M., O'Malley, M. L., Bjorkholm, J. E., Epworth, R. W.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1990, Vol. 8 Issue 6, p1970-1974, 5p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Free standing silicon microstructures for soft x-ray masks and cold atom focusing.
Autor: Tennant, D. M., Bjorkholm, J. E., O'Malley, M. L., Becker, M. M., Gregus, J. A., Epworth, R. W.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1990, Vol. 8 Issue 6, p1975-1979, 5p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
High aspect ratio 0.1 μm tungsten gates for InGaAs/InAlAs heterojunction transistors.
Autor: Tennant, D. M., Shunk, S. C., Feuer, M. D., Kuo, J-M., Behringer, R. E., Chang, T. Y., Epworth, R. W.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1989, Vol. 7 Issue 6, p1836-1840, 5p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Contact lithography at 157 nm with an F2 excimer laser.
Autor: Craighead, H. G., White, J. C., Howard, R. E., Jackel, L. D., Behringer, R. E., Sweeney, J. E., Epworth, R. W.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1983, Vol. 1 Issue 4, p1186-1189, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Analysis and operation of UHF SQUID with tapped tank circuit.
Autor: Jackel, L. D., Stoeckenius, J. H. W., Epworth, R. W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan1978, Vol. 49 Issue 1, p471-472, 2p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje