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pro vyhledávání: '"Epitaxie sélective"'
Autor:
Lacam, Cédric
Publikováno v:
Matière Condensée [cond-mat]. Université Grenoble Alpes [2020-..], 2022. Français. ⟨NNT : 2022GRALY021⟩
This thesis reports on the selective area metalorganic vapor phase epitaxy of InGaN/GaN multi-quantum wells for self-emissive micro-displays. GaN-based LEDs have been recognized to be very attractive for this application, thanks to their properties w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3515::c301662de7011bc4a171fd0cb89635f0
https://theses.hal.science/tel-03885939
https://theses.hal.science/tel-03885939
Autor:
Seiss, Birgit
Dans les technologies d'aujourd'hui, l’épitaxie est une technique indispensable pour la fabrication des composants. Avec la diminution continue de la taille des transistors les objets epitaxiés rétrécissent aussi. Par conséquence, des effets m
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2013ISAL0152
Autor:
Martin, Jérôme
La nano-structuration de matériaux semiconducteurs à grand gap à base de GaN fait l'objet d'un très grand intérêt de par son potentiel pour l'élaboration de composants optoélectroniques innovants émettant dans la gamme spectrale de l’ultra
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2009METZ027S/document
Autor:
Martin, Jérôme
Publikováno v:
Matière Condensée [cond-mat]. Université de Metz, 2009. Français
Autre [cond-mat.other]. Université Paul Verlaine-Metz, 2009. Français. ⟨NNT : 2009METZ027S⟩
Autre [cond-mat.other]. Université Paul Verlaine-Metz, 2009. Français. ⟨NNT : 2009METZ027S⟩
GaN based wide bandgap semiconductor materials nanostructures have a tremendous potential for the synthesis of innovative optoelectronical devices emitting in the UV region (190-340nm). Thus, the feasibility of the nanoscale growth must be demonstrat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7a9271adea55a8b4f60db4222e916bdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00457306
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00457306