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pro vyhledávání: '"Epitaxie par Jets Moléculaires"'
Autor:
Han, Dong
Publikováno v:
Other. Université de Lyon, 2020. English. ⟨NNT : 2020LYSEC028⟩
The objective of this Ph.D. thesis is to epitaxially grow by molecular beam epitaxy (MBE) p-type thermoelectric La1-xSrxCrO3 films and study its structural and thermoelectric properties around room temperature as a function of key parameters such as
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3c7ed824b8eed662dd16c3bc8e5b1a41
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03418309
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03418309
Autor:
Delorme, Olivier
Le Bismuth, un élément V, a longtemps été négligé dans la famille des semi-conducteurs III V. Toutefois, les matériaux bismures connaissent un intérêt croissant depuis le début des années 2000, principalement en raison de l’exceptionnell
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2019MONTS024/document
Autor:
Delorme, Olivier
Publikováno v:
Electronique. Université Montpellier, 2019. Français. ⟨NNT : 2019MONTS024⟩
Bismuth, a group-V element, has long been neglected in the III-V semiconductor family. However, dilute bismides started to attract great attention since the early 2000s, due to the giant bandgap reduction and the strong increase of the spin-orbit spl
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::1f7257326c0fdf7a9d0d3da1c3cfb6f0
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02380413/file/DELORME_2019_archivage.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02380413/file/DELORME_2019_archivage.pdf
Autor:
Pelati, Daniel
Publikováno v:
Materials Science [cond-mat.mtrl-sci]. Sorbonne Université, 2019. English. ⟨NNT : 2019SORUS456⟩
The increasing demand for clean energy has driven research toward higher efficiency and lower cost solar cells. Gallium arsenide solar cells detain the record efficiency for single junction devices but the high cost of the substrate limits their appl
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::8d9ca1a34a9cbbe062950b0b26764bcc
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03015926
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03015926
Autor:
Moalla, Rahma
Les systèmes de récupération d'énergie sont prometteurs pour l'auto-alimentation des dispositifs intégrés. Les matériaux pyroélectriques couplant un changement de température à un changement de polarisation électrique peuvent être utilis
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http://www.theses.fr/2016LYSEC050/document
Autor:
Kumaresan, Vishnuvarthan
Un des avantages majeurs des nanofils (NFs) semi-conducteurs est la possibilité d'intégrer ces nano-matériaux sur divers substrats. Cette perspective est particulièrement intéressante pour les nitrures d'éléments III qui manquent d'un substrat
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http://www.theses.fr/2016PA066538/document
Autor:
Kumaresan, Vishnuvarthan
Publikováno v:
Chemical Physics [physics.chem-ph]. Université Pierre et Marie Curie-Paris VI, 2016. English. ⟨NNT : 2016PA066538⟩
A major advantage of semiconductor nanowires (NWs) is the possibility to integrate these nano-materials on various substrates. This perspective is particularly attractive for III-nitrides, for which there is a lack of an ideal substrate. We examined
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::225a8ca0d854c7b82be13102826453f8
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01528571/file/2016PA066538.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01528571/file/2016PA066538.pdf
Autor:
Meunier, Benjamin
La diversification des fonctionnalités intégrées dans les systèmes micro-optoélectroniques est l'un point clé du développement de ces filières. Combiner sur une même puce des matériaux ayant des propriétés différentes doit permettre de f
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http://www.theses.fr/2016LYSEC032/document
Autor:
Meunier, Benjamin
Publikováno v:
Autre. Université de Lyon, 2016. Français. 〈NNT : 2016LYSEC032〉
Autre. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEC032⟩
Autre. Université de Lyon, 2016. Français. ⟨NNT : 2016LYSEC032⟩
Diversification of the materials and functionalities integrated on silicon is an important issue for further progression in the field of micro-optoelectronics. The monolithic heterogeneous integration of new materials on silicon, and more generally t
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bae2ab6c26a506b8d6b91158ed9791f9
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01511702/document
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01511702/document
Autor:
Mazet, Lucie
L’intégration monolithique d’oxydes ferroélectriques sur substrats semi-conducteurs pourrait permettre l'ajout de nouvelles fonctionnalités sur puces de la nanoélectronique. L'utilisation d'un ferroélectrique est en particulier intéressante
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http://www.theses.fr/2016LYSEC021/document