Zobrazeno 1 - 10
of 537
pro vyhledávání: '"Epitaxial silicon"'
Publikováno v:
SiliconPV Conference Proceedings, Vol 1 (2024)
To grow a defect-free epitaxial silicon wafer (EpiWafer) on a reorganized porous silicon layer stack, the surface must be closed, smooth and particle-free. A post-porosification cleaning step prior to reorganization should significantly reduce the de
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3c16ae684db84c8d8dde754b84d6da1e
Autor:
Joon-Ho Oh, Tae Kyung Lee, Ryoon Young Kim, Jeong-Ho An, Sung-In Mo, Ji-Eun Hong, Sun-Wook Kim, Min Jong Keum, Hee-eun Song, Ka-Hyun Kim
Publikováno v:
Small Structures, Vol 5, Iss 2, Pp n/a-n/a (2024)
Plasma‐assisted epitaxially grown silicon (plasma‐epi Si) is a new silicon‐based material with a tailorable nanostructure. Nanovoids can be introduced into plasma‐epi Si during growth, enabling the bottom‐up fabrication of porous Si for app
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3716ad8de36b40bbb3d416bf886bd57d
Publikováno v:
Applied Surface Science Advances, Vol 18, Iss , Pp 100508- (2023)
Boron doping level and boron activation in silicon thin films grown by PECVD under epitaxial (p+ epi‑Si) and microcrystalline (p+ µc-Si) conditions have been investigated as functions of the substrate material and annealing in the range of 200°C
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/49d44b94dc994bca917227ac909642af
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yu. P. Snitovsky, L. P. Khodarina
Publikováno v:
Doklady Belorusskogo gosudarstvennogo universiteta informatiki i radioèlektroniki, Vol 0, Iss 1, Pp 5-12 (2019)
Questions of the implantation fluency of Si(111) by phosphorus ions influence, the effect of post-implant annealing of Si implantation and an annealing of Mo-Si system and of irradiation by phosphorus ions of generated ohmic contact of system Mo-Si a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/01286293cda74ca18a131c8bc024475d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 5-6, Pp 57-62 (2014)
The authors investigate the possibility of increasing the radiation resistance of silicon epitaxial layers by creating radiation defects sinks in the form of dislocation networks of the density of 109—1012 m–2. Such networks are created before th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b4925e9c224142b39f267e8439fb09e9
Autor:
Roshdy Abderrassoul
Publikováno v:
MEJ. Mansoura Engineering Journal. 15:114-129
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0e2c25d05faa837b5116e3ba487c00fb
https://doi.org/10.21608/bfemu.2021.171270
https://doi.org/10.21608/bfemu.2021.171270