Zobrazeno 1 - 10
of 64
pro vyhledávání: '"Epitaxial material"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ken Hattori, Aydar Irmikimov, Liliany Noviyanty Pamasi, Shunta Takahashi, Xiaoqian Shi, Emilia E. Hashamova, Ai I. Osaka, Nobuyoshi Hosoito, Hidekazu Tanaka, Fangzhun Guo, Takaaki Higashi, Azusa N. Hattori
Publikováno v:
Crystal Growth & Design. 21:946-953
The control of three-dimensional (3D) geometrical shapes is one of important approaches that contribute the development of new functionalities in material science. We produced 3D Si pyramids with a...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f82e5598f9891ee8e3bb2837d048cff9
https://doi.org/10.1021/acs.cgd.0c01286
https://doi.org/10.1021/acs.cgd.0c01286
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chil-Sung Jung
Publikováno v:
Journal of the Korean Association of Defense Industry Studies. 25:55-64
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1f9b5d414f64c0cb4f951c99ce44ba7e
https://doi.org/10.52798/kadis.2018.25.3.5
https://doi.org/10.52798/kadis.2018.25.3.5
Publikováno v:
Materials Science Forum. 897:303-306
A new technique with micro-Raman and micro-PL analysis is proposed to detect defects in 3C-SiC epitaxial films. The high-power of an above band-gap laser is used to increase locally the free carriers density in un-doped epitaxial material (n < 1016 c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3ce668cb05acd274b9c709de4f838464
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.303
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.897.303
Autor:
E. Capogreco, Roger Loo, John Tolle, Y. Shimura, Andriy Hikavyy, Clement Porret, Marc Schaekers, Wilfried Vandervorst, Anurag Vohra, David Kohen, Erik Rosseel
Publikováno v:
2019 Compound Semiconductor Week (CSW).
$\mathrm{Ge}_{\mathrm{1}-\mathrm{x}}\mathrm{Sn}_{\mathrm{x}}$ and $\mathrm{Si}_{\mathrm{y}}\mathrm{Gei}_{1-\mathrm{x}-\mathrm{y}}\mathrm{Sn}_{\mathrm{x}}$ are being considered for novel device schemes as they have interesting electrical and optical m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5361dc0cd53753e7a9771181061cbacf
https://doi.org/10.1109/iciprm.2019.8818998
https://doi.org/10.1109/iciprm.2019.8818998
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 451:126-131
Annealing of (CdZn)Te substrate material is an important technology to enhance the quality of HgCdTe epitaxial material as well as the performance of infrared focal plane array detectors. In this paper, the size variations of inclusions defects in (C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b222713a420cd91e9304a93611bec4e1
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.07.024
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2016.07.024
Autor:
Sri.K. Bose
Publikováno v:
Solid State Communications. 159:102-105
In this work, the effective thermal conductivity of GaN–AlN–(4H)SiC hetero-epitaxial material system, is evaluated. The thermal conductivities of the bulk (substrate) Si, (4H)SiC, AlN, and GaN materials and the epitaxial-layers of the materials u
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::84d755802546fe8e4391b6f6d9f1cf0f
https://doi.org/10.1016/j.ssc.2013.01.033
https://doi.org/10.1016/j.ssc.2013.01.033
Autor:
Lianping Hou, M. Haji, John H. Marsh, Jehan Akbar, A.C. Bryce, Anthony Kelly, Michael J. Strain
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 25:253-256
We demonstrate a high output power passively mode-locked distributed Bragg reflector laser with integrated tapered semiconductor optical amplifier, operating at 1.5 μm. These devices are based on an optimized low-optical-confinement AlGaInAs/InP epi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cbc3dd4237a1c82f6d8962a17ae47957
https://doi.org/10.1109/lpt.2012.2231858
https://doi.org/10.1109/lpt.2012.2231858