Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"English, Chris D."'
We present a scaling theory of two-dimensional (2D) field effect transistors (FETs). For devices with channel thickness less than 4 nm, the device electrostatics is dominated by the physical gate oxide thickness and not the effective oxide thickness.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2105.10791
Autor:
Suryavanshi, Saurabh V., Magyari-Kope, Blanka, Lim, Paul, McClellan, Connor, Smithe, Kirby K. H., English, Chris D., Pop, Eric
Electrical contact resistance to two-dimensional (2D) semiconductors such as monolayer MoS_{2} is a key bottleneck in scaling the 2D field effect transistors (FETs). The 2D semiconductor in contact with three-dimensional metal creates unique current
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2105.10792
Publikováno v:
2D Materials (Dec 2016)
We demonstrate monolayer MoS2 grown by chemical vapor deposition (CVD) with transport properties comparable to those of the best exfoliated devices over a wide range of carrier densities (up to ~10^13 1/cm^2) and temperatures (80-500 K). Transfer len
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1608.00987
Publikováno v:
Nano Letters, 16, 3824-3820 (2016)
The scaling of transistors to sub-10 nm dimensions is strongly limited by their contact resistance (Rc). Here we present a systematic study of scaling MoS2 devices and contacts with varying electrode metals and controlled deposition conditions, over
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1605.03972
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nano Letters; Jul2018, Vol. 18 Issue 7, p4516-4522, 7p
Publikováno v:
Nano Letters; Jun2016, Vol. 16 Issue 6, p3824-3830, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.