Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Engel yüksekliği"'
Publikováno v:
Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi, Vol 7, Iss 3, Pp 2142-2155 (2019)
Bu çalışmada Mo/n-Si Schottky diyotların bazı elektriksel özellikleri incelendi. Diyotlar, Molibdenin (Mo) n-tipi Silisyum (Si) üzerine manyetik saçtırma yöntemi kullanılarak biriktirilmesiyle üretildi. Akım-voltaj (I-V) ve kapasite-volt
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8ca49582494e4a50b517ee01269d9761
Autor:
KAHVECİ, Osman, KAYA, Mehmet Fatih
Publikováno v:
Volume: 12, Issue: 1 398-413
Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi
Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi
Bu çalışmada, Al, Mo, Cu ve Ag metalleri ile n-tipi Si yarıiletkeni kullanılarak farklı metal/yarıiletken kontak yapısı modellenmiştir. Kontakların 0-0.25 V aralığında ileri beslem yarı logaritmik akım-gerilim karakteristiği termiyon
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=tubitakulakb::81d094c4345cae8ecbd2eaa8c17b4634
https://dergipark.org.tr/tr/pub/kfbd/issue/70315/1081025
https://dergipark.org.tr/tr/pub/kfbd/issue/70315/1081025
Autor:
ASIL UĞURLU, Hatice
Publikováno v:
Volume: 27, Issue: 1 158-167
Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
The electrical properties of the Ti/p-Si Schottky diode were investigated as a function of temperature within the temperature interval of 80 K-300 K and in 20 K steps. Fundamental diode parameters such as ideality factor (n), barrier height (Фb) and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=tubitakulakb::35041680ff04659cf43adcde698b7da0
https://dergipark.org.tr/tr/pub/yyufbed/issue/68588/1058643
https://dergipark.org.tr/tr/pub/yyufbed/issue/68588/1058643
Autor:
Hatice ASIL UĞURLU
Publikováno v:
Volume: 12, Issue: 2 752-760
Journal of the Institute of Science and Technology
Journal of the Institute of Science and Technology
The electrical properties of the Ti/p-GaN Schottky diode were investigated. Fundamental diode parameters such as ideality factor (n), barrier height (Фb) and series resistance (Rs) were analyzed using the traditional I-V method, Cheung functions and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a2f80c3d6081d0e49f5ad22264b53460
https://dergipark.org.tr/tr/pub/jist/issue/69544/1024690
https://dergipark.org.tr/tr/pub/jist/issue/69544/1024690
Publikováno v:
Cumhuriyet Üniversitesi Fen Fakültesi Fen Bilimleri Dergisi, Vol 38, Iss 2, Pp 275-285 (2017)
Volume: 38, Issue: 2 275-285
Cumhuriyet Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fen Bilimleri Dergisi
Volume: 38, Issue: 2 275-285
Cumhuriyet Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fen Bilimleri Dergisi
Günümüz elektronik teknolojisinde ve elektronik sanayinde çok fazla kullanılan Schottky kontaklargeniş bir uygulamaalanına ve önemli bir yere sahiptir. Bu sebeple bu elemanlar üzerinde çok fazla durulmasıgerekir ve birçokaraştırmanın d
Autor:
GÜZEL, Tamer
Publikováno v:
Volume: 14, Issue: 1 79-92
Erzincan University Journal of Science and Technology
Erzincan University Journal of Science and Technology
Schottky diode with 6H-SiC/MEH-PPV/Al polymer interface was prepared and characterized by using current-voltage data in the temperature range of 80-400K. Important parameters of the produced diode such as ideality factor, barrier height and saturatio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=tubitakulakb::e2503632fd936856443776579a28403b
https://dergipark.org.tr/tr/pub/erzifbed/issue/61106/870828
https://dergipark.org.tr/tr/pub/erzifbed/issue/61106/870828
Publikováno v:
Volume: 10, Issue: 3 1674-1682
Journal of the Institute of Science and Technology
Journal of the Institute of Science and Technology
The current-voltage characteristics are powerfully affected by the lateral inhomogeneity. We developed two dimensional (2D) simulation model for Au/n-GaN Schottky device. In previous studies, it is assumed that zero barrier height inhomogeneity of th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=tubitakulakb::b7b4b9b51e84daa3a84cbc5758f3c088
https://dergipark.org.tr/tr/pub/jist/issue/56289/691099
https://dergipark.org.tr/tr/pub/jist/issue/56289/691099
Autor:
Şahin, Recai
Bu çalışmada DC saçtırma yöntemi ile Mo metalinin n-Si yarıiletken üzerine saçtırılması ile n-Si/Mo metal-yarıiletken kontağı elde edilmiştir. Oda sıcaklığında ve karanlıkta yapılan akım-gerilim ölçümlerinde yapının doğru
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3346::93f74cefaf46f357729c52b161b87a8c
https://hdl.handle.net/11468/6684
https://hdl.handle.net/11468/6684
Autor:
Şahin, Muhammet Ferit
Tez (Yüksek lisans) -- Giresun Üniversitesi. Kaynakça var. x , 39 s. ; 28 cm. Demirbaş: 0063329 …
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______9647::e934811d2464083f172e3efe5349d12e
https://hdl.handle.net/20.500.12697/4767
https://hdl.handle.net/20.500.12697/4767
Autor:
Tören , Ayfun
Bu çalışmada Czochralski tekniği ile büyütülmüş, 380μm kalınlığında, (100) düzleminde kesilmiş ve 20Ω-cm özdirence sahip fosfor katkılı n-tipi Si yarıiletken kristalleri kullanılmıştır. Bu kristaller değişik kimyasal metotl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::32cacd19a731818f54e0f5caa2a8791b
https://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/87885
https://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/87885