Zobrazeno 1 - 10
of 379
pro vyhledávání: '"Engel yüksekliği"'
Publikováno v:
Politeknik Dergisi
SnTe thin film layer was fabricated by magnetron sputtering technique on n-Si substrate, and the electrical properties of the In/SnTe/Si/Ag diode structure was investigated by using temperature dependent forward bias current-voltage (I-V) measurement
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bc3e386350f21813887f4a68513c85e9
https://dergipark.org.tr/tr/pub/politeknik/issue/39888/389625
https://dergipark.org.tr/tr/pub/politeknik/issue/39888/389625
Autor:
Ertaş, Hakan
Metal yarıiletken kontakların doğrultucu özelliğinin bir asrı aşkın kullanımı ve 20. yy ın ortalarında akım iletim mekanizmasının modellenmesi ile bu yapılarının elektronikteki kullanımı yaygınlaşmıştır. Fabrikasyonun basitli
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_____10208::2637484eaa27eeb2a95e4b5c851a9142
https://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/49647
https://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/49647
Publikováno v:
Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi, Vol 7, Iss 3, Pp 2142-2155 (2019)
Bu çalışmada Mo/n-Si Schottky diyotların bazı elektriksel özellikleri incelendi. Diyotlar, Molibdenin (Mo) n-tipi Silisyum (Si) üzerine manyetik saçtırma yöntemi kullanılarak biriktirilmesiyle üretildi. Akım-voltaj (I-V) ve kapasite-volt
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8ca49582494e4a50b517ee01269d9761
Autor:
Babacan, Yunus
Er/p-Si Schottky yapısı Erbiyumun sputter tabakalı metalizasyonu ile gerçekleştirildi. Erbiyum silisyum ara yüzeyindeki homojensizlik ısıl işlem sıcaklığına bağlı olarak incelenmiş olup engel yükseklindeki dağılımın sıcaklıkla
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_____10208::569779762f41790426af7e0a9260ece6
https://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/50000
https://acikbilim.yok.gov.tr/handle/20.500.12812/50000
Autor:
ÇALDIRAN, Zakir1 zakircaldiran@ardahan.edu.tr
Publikováno v:
Journal of the Institute of Science & Technology / Iğdır Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi. 2019, Vol. 9 Issue 1, p581-592. 12p.
Publikováno v:
Journal of Polytechnic; 2018, Vol. 21 Issue 4, p919-925, 8p
Autor:
KAHVECİ, Osman, KAYA, Mehmet Fatih
Publikováno v:
Volume: 12, Issue: 1 398-413
Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi
Karadeniz Fen Bilimleri Dergisi
Bu çalışmada, Al, Mo, Cu ve Ag metalleri ile n-tipi Si yarıiletkeni kullanılarak farklı metal/yarıiletken kontak yapısı modellenmiştir. Kontakların 0-0.25 V aralığında ileri beslem yarı logaritmik akım-gerilim karakteristiği termiyon
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=tubitakulakb::81d094c4345cae8ecbd2eaa8c17b4634
https://dergipark.org.tr/tr/pub/kfbd/issue/70315/1081025
https://dergipark.org.tr/tr/pub/kfbd/issue/70315/1081025
Autor:
ASIL UĞURLU, Hatice
Publikováno v:
Volume: 27, Issue: 1 158-167
Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
The electrical properties of the Ti/p-Si Schottky diode were investigated as a function of temperature within the temperature interval of 80 K-300 K and in 20 K steps. Fundamental diode parameters such as ideality factor (n), barrier height (Фb) and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=tubitakulakb::35041680ff04659cf43adcde698b7da0
https://dergipark.org.tr/tr/pub/yyufbed/issue/68588/1058643
https://dergipark.org.tr/tr/pub/yyufbed/issue/68588/1058643
Autor:
ALNAK, Yeliz1 ytas@cumhuriyet.edu.tr
Publikováno v:
Journal of Thermal Science & Technology / Isı Bilimi ve Tekniği Dergisi. 2024, Vol. 44 Issue 1, p227-243. 17p.