Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Emanuele Baracchi"'
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
The paper presents the use of the Linewidth Bias Monitor (LBM), the critical dimension (CD) uniformity mapping option of the ARIS 2li die-to-database mask inspection system, for incoming quality control (IQC) in the wafer fab. LBM is qualified for th
Publikováno v:
21st Annual BACUS Symposium on Photomask Technology.
The paper presents the use of the Linewidth Bias Monitor (LBM), the critical dimension (CD) uniformity mapping option of the ArisTM21i die-to-database mask inspection system, for mask process control and incoming quality control (IQC) in the wafer fa
Autor:
Karl Sommer, Yair Eran, Thomas Schaetz, Volodymyr Ordynskyy, Thomas Engel, Emanuele Baracchi, Gerald Galan, Corinne Miramond, Martin Verbeek, Roman Liebe, Hans Hartmann, Kai Peter, Hans-Juergen Brueck, Gerd Scheuring
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
The reduction of wavelength in optical lithography and the use of enhancement techniques like phase shift technology, optical proximity correction (OPC), or off-axis illumination, lead to new specifications for advanced photomasks: a challenge for co
Autor:
Hans Hartmann, Hans-Juergen Brueck, Thomas Engel, Karl Sommer, Yair Eran, Olivier Maurin, Gerd Scheuring, Emanuele Baracchi, Kai Peter, Thomas Schaetz, Corinne Miramond, Frederic P. Lalanne
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
The reduction of wavelength in optical lithography, phase shift technology and optical proximity correction (OPC), requires a rapid increase in cost effective qualification of photomasks. The knowledge about CD variation, loss of pattern fidelity esp
Autor:
Frederic P. Lalanne, Volodymyr Ordynskyy, Thomas Engel, Emanuele Baracchi, Karl Sommer, Yair Eran, Olivier Maurin, Hans-Juergen Brueck, Thomas Schaetz
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Low-k1 lithography requires enhancement techniques like phase shift and OPC. These techniques impose new and challenging specifications on photomasks. A development to establish means and methods to verify corner rounding, line end shortening, defect
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.