Výsledky vyhledávání - "Elman, Boris S."

Conference

Vacancy-enhanced interdiffusion of quaternary quantum wells.

Autor: Koteles, Emil S., Choudhury, A. N. M. M., Elman, Boris S., Melman, Paul, Levy, Ariel, Koza, M. A., Bhat, Rajaram J.

Publikováno v: Proceedings of SPIE; Nov1992, Issue 1, p90-97, 8p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Low-substrate temperature molecular beam epitaxy growth and thermal stability of strained InGaAs/GaAs single-quantum-wells.

Autor: Elman, Boris S., Koteles, Emil S., Melman, Paul, Rothman, Mark A.

Publikováno v: Proceedings of SPIE; Nov1991, Issue 1, p362-372, 11p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

InGaAs/GaAs interdigitated metal-semiconductor-metal (IMSM) photodetectors operational at 1.3 um grown by molecular beam epitaxy.

Autor: Elman, Boris S., Chirravuri, Jagannath, Choudhury, A. N. M. M., Silletti, Andrew, Negri, Andrew J., Powers, J.

Publikováno v: Proceedings of SPIE; Nov1991, Issue 1, p610-616, 7p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Physics of coupled double quantum wells.

Autor: Koteles, Emil S., Elman, Boris S., Lee, Johnson, Charbonneau, N. Sylvain, Thewalt, Michael L. W.

Publikováno v: Proceedings of SPIE; Nov1990, Issue 1, p143-152, 10p

Zobrazit plný text záznamu

Conference

Quantum-well width determination using RHEED oscillations.

Autor: Koteles, Emil S., Elman, Boris S.

Publikováno v: Proceedings of SPIE; Nov1990, Issue 1, p207-213, 7p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Summary Abstract: Very high purity GaAs: Free exciton dominated 5-K photoluminescence and magnetophotoluminescence spectra.

Autor: Elman, Boris S., Koteles, Emil S., Zemon, Stanley A., Chi, Y. J.

Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1987, Vol. 5 Issue 3, p757-758, 2p

Zobrazit plný text záznamu