Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Ellis, Hunter D."'
Autor:
Rahaman, Imteaz, Li, Botong, Ellis, Hunter D., Van Devener, Brian Roy, Polson, Randy C, Fu, Kai
Ultrawide bandgap (UWBG) semiconductors are promising for next-generation power electronics, largely attributed to their substantial bandgap and exceptional breakdown electric field. Rutile GeO2 (r-GeO2) emerges as a promising alternative, particular
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.13199
Rutile Germanium Dioxide (r-GeO$_2$) has been identified as an ultrawide bandgap (UWBG) semiconductor recently, featuring a bandgap of 4.68 eV, comparable to Ga$_2$O$_3$ but offering bipolar dopability, higher electron mobility, higher thermal conduc
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.02682
Rutile Germanium Dioxide (GeO2) has been recently theoretically identified as an ultrawide bandgap (UWBG) semiconductor with bandgap 4.68 eV similar to Ga2O3 but having bipolar dopability and ~2x higher electron mobility, Baliga figure of merit (BFOM
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2405.07564
Autor:
Rahaman, Imteaz1 (AUTHOR) u1351894@utah.edu, Ellis, Hunter D.1 (AUTHOR) u0973796@utah.edu, Chang, Cheng2 (AUTHOR) cc206@rice.edu, Mudiyanselage, Dinusha Herath3 (AUTHOR) dinusha@asu.edu, Xu, Mingfei2 (AUTHOR) mx9@rice.edu, Da, Bingcheng3 (AUTHOR) bingche1@asu.edu, Fu, Houqiang3 (AUTHOR) houqiang@asu.edu, Zhao, Yuji2 (AUTHOR) yuji.zhao@rice.edu, Fu, Kai1 (AUTHOR) yuji.zhao@rice.edu
Publikováno v:
Materials (1996-1944). Sep2024, Vol. 17 Issue 17, p4261. 62p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ACS Applied EngineeringMaterials; June 2024, Vol. 2 Issue: 6 p1724-1736, 13p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Sensors Journal; 7/15/2021, Vol. 21 Issue 14, p16134-16140, 7p