Zobrazeno 1 - 10
of 195
pro vyhledávání: '"Elliot, Alan"'
Autor:
Wilt, Jamie, Gong, Youpin, Gong, Ming, Su, Feifan, Xu, Huikai, Sakidja, Ridwan, Elliot, Alan, Lu, Rongtao, Zhao, Shiping, Han, Siyuan, Wu, Judy
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 7, 064022 (2017)
Metal-Insulator-Metal tunnel junctions (MIMTJ) are common throughout the microelectronics industry. The industry standard AlOx tunnel barrier, formed through oxygen diffusion into an Al wetting layer, is plagued by internal defects and pinholes which
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1701.08143
Autor:
Elliot, Alan J., Ma, Chunrui, Lu, Rongtao, Xin, Melisa, Han, Siyuan, Wu, Judy Z., Sakidja, Ridwan, Yu, Haifeng
Atomic Layer Deposition (ALD) is a promising technique for producing Josephson junctions (JJs) with lower defect densities for qubit applications. A key problem with using ALD for JJs is the interfacial layer (IL) that develops underneath the tunnel
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1408.3077
Autor:
Elliot, Alan J., Malek, Gary A., Lu, Rongtao, Han, Siyuan, Yiu, Haifeng, Zhao, Shiping, Wu, Judy Z.
Atomic Layer Deposition (ALD) is a promising technique for growing ultrathin, pristine dielectrics on metal substrates, which is essential to many electronic devices. Tunnel junctions are an excellent example which require a leak-free, ultrathin diel
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1405.1069
Publikováno v:
Applied Physics Express, 4 (2011) 065502
Biaxially textured MgO templates have been successfully fabricated on several amorphous polymer films including Kapton tapes, polyimide, Poly(methyl methacrylate) (PMMA), and photoresist films using ion-beam-assisted-deposition (IBAD). With a Y2O3 bu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1309.5514
Autor:
Lu, Rongtao, Elliot, Alan J., Wille, Logan, Mao, Bo, Han, Siyuan, Wu, Judy Z., Talvacchio, John, Schulze, Heidi M., Lewis, Rupert M., Ewing, Daniel J., Yu, H. F., Xue, G. M., Zhao, S. P.
Publikováno v:
IEEE Trans. Appl. Supercond. Vol. 23, No. 3, June 2013
Atomic layer deposition (ALD) provides a promising approach for deposition of ultrathin low-defect-density tunnel barriers, and it has been implemented in a high-vacuum magnetron sputtering system for in situ deposition of ALD-Al2O3 tunnel barriers i
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1309.4410
Autor:
Elliot, Alan J., Malek, Gary, Wille, Logan, Lu, Rongtao, Han, Siyuan, Wu, Judy Z., Talvacchio, John, Lewis, Rupert M.
Publikováno v:
IEEE Trans. Appl. Supercond. Vol 23, No. 3, June 2013
Ultrathin dielectric tunneling barriers are critical to Josephson junction (JJ) based superconducting quantum bits (qubits). However, the prevailing technique of thermally oxidizing aluminum via oxygen diffusion produces problematic defects, such as
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1309.4404
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.