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pro vyhledávání: '"Elektronisches Bauelement"'
Autor:
Baierhofer, Daniel
Ziel dieser Arbeit war es, eine Korrelation der Siliciumcarbid (SiC) Materialqualität mit Ausfallmechanismen leistungselektronischer 4H-SiC Trench-MOSFET Bauelemente herzustellen. Dafür wurden homo-epitaktische, n-leitende SiC-Schichten abgeschiede
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d29241b2cdd0937858a2d3a929e81978
https://opus4.kobv.de/opus4-fau/files/21495/Daniel_Baierhofer_Diss_OPUS.pdf
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Autor:
Seidel, Sarah
In der Arbeit wurden die zwei ternären Oxide GdScO3 und AlTiOx strukturell und elektrisch charakterisiert und in laterale AlGaN/GaN-MISHEMTs integriert. GdScO3 wächst hexagonal und epitaktisch bei einer Abscheidung mittels PLD bei 700°C auf einer
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https://tubaf.qucosa.de/id/qucosa%3A86881
https://tubaf.qucosa.de/api/qucosa%3A86881/attachment/ATT-0/
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Autor:
Augustine, Dolores L.
Publikováno v:
Dresdener Beiträge zur Geschichte der Technikwissenschaften, Nr. 28 (2003), S. 3-21, ISSN: 0232-5349
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A27853
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A27853/attachment/ATT-0/
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Autor:
Wächtler, Thomas
High Electron Mobility Transistoren (HEMTs), basierend auf dem Materialsystem GaN/AlGaN/GaN, wurden entworfen, hergestellt und elektrisch charakterisiert. Für das Maskendesign kam das CAD-Programm LasiCAD zum Einsatz. Das Design umfasste bis zu sech
Graphene-based single-electron and hybrid devices, their lithography, and their transport properties
Autor:
Herrmann, Oliver
This work explores three different aspects of graphene, a single-layer of carbon atoms arranged in a hexagonal lattice, with regards to its usage in future electronic devices; for instance in the context of quantum information processing. For a long
Autor:
Herrmann, Oliver
This work explores three different aspects of graphene, a single-layer of carbon atoms arranged in a hexagonal lattice, with regards to its usage in future electronic devices; for instance in the context of quantum information processing. For a long
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______713::1c51fe68ed73feee4312737d81493f05
https://opus.bibliothek.uni-wuerzburg.de/frontdoor/index/index/docId/14692
https://opus.bibliothek.uni-wuerzburg.de/frontdoor/index/index/docId/14692
Autor:
Ulbricht, Markus
Die Skalierung von Bauelementen der Mikroelektronik bis hin zu atomaren Dimensionen hat einen zunehmenden negativen Einfluss auf deren Zuverlässigkeit und mittlere Lebensdauer. Durch uneinheitliches Skalieren der räumlichen Ausdehnung im Vergleich
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3456::e2c334c86ea311d6b028a21a8a30a45c
https://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/3122
https://opus4.kobv.de/opus4-btu/frontdoor/index/index/docId/3122
Autor:
Tappertzhofen, Stefan
Publikováno v:
München : Hut VI, 160 S. : Ill., graph. Darst. (2014). = Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2014
In the last decades, modern information and communication technology have become part of daily life, which is unequivocally linked with the progressive scaling of electronic components and particularly with the ongoing miniaturization of transistors
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______791::391dd6d230c4b7fbccae96a395818ddb
https://publications.rwth-aachen.de/record/465416
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Um die Entwicklungskosten von elektronischen Bauelementen in EMV Testphasen zu reduzieren, wurden alternative Strom-Scan Methoden im Frequenz- und im Zeitbereich bereits in früheren Arbeiten vorgestellt. Mit diesen Methoden kann die teure Absorberka
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1262430e62e9639516eb43d55e121abd
Autor:
Menzel, Stephan
Publikováno v:
München : Hut VIII, 146 S. : Ill., graph. Darst. (2013). = Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2012
As conventional memory concepts are approaching their physical scaling limits, novel memory device concepts for highly scalable, ultrafast, energy efficient, nonvolatile memory are demanded. Resistive switching devices, which rely on nanoionic redox
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______791::6f9d232330d88a5dfedc5ebe9969bbf1
https://publications.rwth-aachen.de/record/210269
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