Zobrazeno 1 - 10
of 181
pro vyhledávání: '"Electronic band gap"'
Publikováno v:
Chemical Physics Impact, Vol 7, Iss , Pp 100341- (2023)
The electronic properties of the T-Greaphene nanosheet (T-GNS) are developed by using different concentrations of the Al and Si impurities. The results demonstrated the electronic band gap is reduced and the shape of the DOS is altered via utilizing
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2069cbc2337a4a4ea9d7e9492e101ca8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Farzana Majid, M. Tauqeer Nasir, Eman Algrafy, Muhammad Sajjad, N.A. Noor, Asif Mahmood, Shahid M. Ramay
Publikováno v:
Journal of Materials Research and Technology, Vol 9, Iss 3, Pp 6135-6142 (2020)
By using WIEN2k code, we investigated the mechanical and thermoelectric properties of magnesium based MgX2O4 (X = Rh and Bi) spinels. To compute the mechanical behavior of MgX2O4 (X = Rh and Bi), the Perdew-Bruke-Ernzerhof (PBEsol) flavor of generali
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ed4211739f2445478e3c18d2ced6c706
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Qi Gong, Guiling Zhang
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 12, Iss 12, p 2041 (2022)
Electronic band-gap is a key factor in applying two-dimensional (2D) topological insulators into room-temperature quantum spin Hall effect (QSH) spintronic devices. Employing pseudopotential plane-wave first-principles calculations, we investigate sp
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/97c643cb50bc4b169239d6e4f8aaec46
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.