Zobrazeno 1 - 10
of 146 236
pro vyhledávání: '"Electron device"'
Autor:
Beckers, Arnout
Numerical underflow and overflow are major hurdles for rolling-out the modeling and simulation infrastructure for temperatures below about 50 K. Extending the numeric precision is computationally intensive and thus best avoided. The root cause of the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.01786
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Superlattices and Microstructures March 2021 151
Publikováno v:
Inorganics, Vol 11, Iss 2, p 55 (2023)
The progress of modern electronics largely depends on the possible emergence of previously unknown materials in electronic technology. The search for and combination of new materials with extraordinary properties used for the production of new small-
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/262af1c2acc1400ca6c25a5fec8b5666
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 631-633 (2023)
This Special Issue is devoted to research and development in the field of electron devices science and technology. We have selected a number of high-quality papers presented at the 4th Latin American Electron Device Conference (LAEDC 2022). The forth
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/24e49012809a4cf8807115b55b430ba2
Autor:
Maillet, Olivier, Erdman, Paolo A., Cavina, Vasco, Bhandari, Bibek, Mannila, Elsa T., Peltonen, Joonas T., Mari, Andrea, Taddei, Fabio, Jarzynski, Christopher, Giovannetti, Vittorio, Pekola, Jukka P.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 122, 150604 (2019)
We experimentally realize protocols that allow to extract work beyond the free energy difference from a single electron transistor at the single thermodynamic trajectory level. With two carefully designed out-of-equilibrium driving cycles featuring k
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.06274
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 12, Iss 1, Pp 1-8 (2022)
Abstract Multidot single-electron devices (SEDs) can enable new types of computing technologies, such as those that are reconfigurable and reservoir-computing. A self-assembled metal nanodot array film that is attached to multiple gates is a candidat
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4b34ebebcbf243f0a02f61d16caf57c3
Autor:
Gyakushi, Takayuki1 (AUTHOR) gyakushi.takayuki.d8@elms.hokudai.ac.jp, Amano, Ikuma1 (AUTHOR), Tsurumaki-Fukuchi, Atsushi1 (AUTHOR), Arita, Masashi1 (AUTHOR), Takahashi, Yasuo1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Scientific Reports. 7/6/2022, Vol. 12 Issue 1, p1-8. 8p.