Zobrazeno 1 - 10
of 232
pro vyhledávání: '"Electron Effective Mass"'
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 21, p 1756 (2024)
Indium phosphide (InP) is widely utilized in the fields of electronics and photovoltaics due to its high electron mobility and high photoelectric conversion efficiency. Strain engineering has been extensively employed in semiconductor devices to adju
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2d98aef9832244d48cc601b85a327b25
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 52, Iss , Pp 106916- (2023)
β-Ga2O3 is a promising material for the development of next-generation power electronic and optoelectronic devices due to its exceptional properties, including ultrawide bandgap and thermodynamic stability. Strain engineering has emerged as a powerf
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e28da54b4b294e8eb1d25f119262fb10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Latreche
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 23, Iss 3, Pp 271-275 (2020)
The current-voltage-temperature profiling method has been used with 4H-SiC Schottky barrier diodes and presented for determining the electron effective mass in 4H-SiC. The extracted electron effective mass has been found to be temperature dependent,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7a9b6b17343748a996251db5239b53c8
Autor:
Genyu Chen, Debamitra Chakraborty, Jing Cheng, Martin Mikulics, Ivan Komissarov, Roman Adam, Daniel E. Bürgler, Claus M. Schneider, Hilde Hardtdegen, Roman Sobolewski
Publikováno v:
Crystals, Vol 12, Iss 11, p 1635 (2022)
We present comprehensive studies on the emission of broadband, free-space THz transients from several highly resistive GaAs samples excited by femtosecond optical pulses. Our test samples are characterized by different degrees of disorder, ranging fr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4c565dd9995f4d62892293fbd3468b10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Bands and Photons in III-V Semiconductor Quantum Structures, 2020, ill.
Externí odkaz:
https://doi.org/10.1093/oso/9780198767275.003.0003
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Roman B. Adamov, Daniil Pashnev, Vadim A. Shalygin, Maria D. Moldavskaya, Maxim Ya. Vinnichenko, Vytautas Janonis, Justinas Jorudas, Saulius Tumėnas, Paweł Prystawko, Marcin Krysko, Maciej Sakowicz, Irmantas Kašalynas
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 11, Iss 13, p 6053 (2021)
Terahertz time-domain spectroscopy and Fourier-transform infrared spectroscopy were developed as the method for the investigation of high-frequency characteristics of two-dimensional electron gas and GaN:C buffer layers in AlGaN/AlN/GaN heterostructu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/64ac112ad0bd49d2b0e4940c6e17e821