Zobrazeno 1 - 10 of 138 pro vyhledávání: '"Eijkemans, T. J."'
1
Akademický článek
Formation of linear InAs quantum dot arrays on InGaAsP/InP (100) by self-organized anisotropic strain engineering and their optical properties.
Autor: Sritirawisarn, N., van Otten, F. W. M., Eijkemans, T. J., Nötzel, R.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/2007, Vol. 102 Issue 5, p053514, 7p, 6 Diagrams, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
InAs/InGaAsP sidewall quantum dots on shallow-patterned InP (311)A.
Autor: Zhou, D., Nötzel, R., van Otten, F. W. M., van Veldhoven, P. J., Eijkemans, T. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/15/2006, Vol. 100 Issue 6, p063505, 4p, 1 Color Photograph, 1 Diagram, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Optical properties of stacked InGaAs sidewall quantum wires in InGaAsP/InP.
Autor: Zhou, D., Nötzel, R., van Otten, F. W. M., Eijkemans, T. J., Wolter, J. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/2006, Vol. 99 Issue 10, p103511, 5p, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Dichroic reflection of InAs/GaAs quantum dots.
Autor: Bogaart, E. W., Haverkort, J. E. M., Eijkemans, T. J., Mano, T., Nötzel, R., Wolter, J. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/2005, Vol. 98 Issue 7, p073519, 5p, 1 Color Photograph, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Wavelength-tunable (1.55-μm region) InAs quantum dots in InGaAsP/InP (100) grown by metal-organic vapor-phase epitaxy.
Autor: Anantathanasarn, S., Nötzel, R., van Veldhoven, P. J., Eijkemans, T. J., Wolter, J. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/2005, Vol. 98 Issue 1, p013503, 7p, 1 Color Photograph, 1 Diagram, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
(In,Ga)As sidewall quantum wires on shallow-patterned InP (311)A.
Autor: Zhou, D., Nötzel, R., Gong, Q., Offermans, P., Koenraad, P. M., van Veldhoven, P. J., van Otten, F. W. M., Eijkemans, T. J., Wolter, J. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/15/2005, Vol. 97 Issue 6, p063510, 5p, 1 Color Photograph, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Complex quantum dot arrays formed by combination of self-organized anisotropic strain engineering and step engineering on shallow patterned substrates.
Autor: Mano, T., Nötzel, R., Zhou, D., Hamhuis, G. J., Eijkemans, T. J., Wolter, J. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/1/2005, Vol. 97 Issue 1, p014304, 5p, 5 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Self-assembled InAs quantum dots formed by molecular beam epitaxy at low temperature and postgrowth annealing.
Autor: Zhan, H. H., Nötzel, R., Hamhuis, G. J., Eijkemans, T. J., Wolter, J. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/2003, Vol. 93 Issue 10, p5953, 6p, 4 Black and White Photographs, 2 Charts, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Effect of annealing on formation of self-assembled (In,Ga)As quantum wires on GaAs (100) by molecular beam epitaxy.
Autor: Mano, T., Nötzel, R., Hamhuis, G. J., Eijkemans, T. J., Wolter, J. H.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/2002, Vol. 92 Issue 7, p4043, 4p, 1 Black and White Photograph, 1 Chart, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje