Zobrazeno 1 - 10
of 56
pro vyhledávání: '"Egorkin, V.I."'
Autor:
Savinov, S.A., Nagaraja, K.K., Mityagin, Yu.A., Danilov, P.A., Kudryashov, S.I., Ionin, A.A., Kazakov, I.P., Tsekhosh, V.I., Khmelnitsky, R.A., Egorkin, V.I., Telenkov, M.P.
Publikováno v:
In Optical Materials March 2020 101
Autor:
Savinov, S.A., Mityagin, Yu.A., Chistyakov, A.A., Kozlovsky, K.I., Kuzishchin, Yu.A., Krivenkov, V.A., Egorkin, V.I., Kazakov, I.P.
Publikováno v:
In Physics Procedia 2015 73:54-58
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Garmash V.I., null Zaitsev A.A., null Nezhentsev A.V., null Zemlyakov V.E., null Egorkin V.I.
Publikováno v:
Semiconductors. 55:2186
The temperature stability of Ge/Au/Ni/Au ohmic contacts to GaAs nanoheterostructures and Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts to GaN nanoheterostructures on silicon substrate was investigated. It has been established that optimization of the RTA process made i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4f08234a1365b7a0639af5c291ca0ee8
https://doi.org/10.21883/sc.2022.14.53873.9603
https://doi.org/10.21883/sc.2022.14.53873.9603
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bespalov, V.A., Vorontsov, A.V., Gorbatsevich, A.A., Egorkin, V.I., Zhigal'ski&icaron;, G.P., Il'ichev, É.A., Kulakov, A.V., Nalbando, B.G., Pantuev, V.S., Rasputny&icaron;, V.N., Sveshnikov, Yu.N., Shmelev, S.S.
Publikováno v:
Technical Physics; Mar2004, Vol. 49 Issue 3, p310-317, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.