Výsledky vyhledávání - "Efthymiou, Loizos"

Dissertation/ Thesis

GaN-on-silicon HEMTs and Schottky diodes for high voltage applications

Autor: Efthymiou, Loizos

Gallium Nitride (GaN) is considered a very promising material for use in the field of power devices as its application in power systems would result in a significant increase in the power density, reduced power losses, and the potential to operate at

Externí odkaz: https://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.744433

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

ICeGaNTM technology: The easy-to-use and self-protected GaN power IC

Autor: Longobardi, Giorgia, Efthymiou, Loizos, Findlay, John, Bricconi, Andrea, Comiskey, Peter, Arnold, Martin, Miller, David, Udrea, Florin

Publikováno v: In Power Electronic Devices and Components March 2023 4

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Physical understanding of a normally off p-GaN/AlGaN/GaN HEMT gate stack and a review of V TH measurement techniques.

Autor: Murukesan, Karthick, Efthymiou, Loizos, Udrea, Florin

Publikováno v: Journal of Physics D: Applied Physics; 1/13/2025, Vol. 58 Issue 2, p1-10, 10p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

On the Source of Oscillatory Behaviour during Switching of Power Enhancement Mode GaN HEMTs.

Autor: Efthymiou, Loizos¹ le257@cam.ac.uk, Camuso, Gianluca¹ gc409@cam.ac.uk, Longobardi, Giorgia¹ gl315@cam.ac.uk, Chien, Terry² Terry.Chien@vishay.com, Chen, Max² max.chen@vishay.com, Udrea, Florin¹ fu10000@cam.ac.uk

Publikováno v: Energies (19961073). Mar2017, Vol. 10 Issue 3, p407. 11p. 2 Diagrams, 8 Graphs.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

GaN-on-Silicon HEMTs and Schottky diodes for high voltage applications

Autor: Efthymiou, Loizos

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::68c37fce882b137f0dcaf76f4ca12eb9

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Conference

Modelling of an AlGaN/GaN Schottky diode and extraction of main parameters.

Autor: Efthymiou, Loizos, Longobardi, Giorgia, Camuso, Gianluca, Hsieh, Alice Pei-Shan, Udrea, Florin

Publikováno v: 2015 International Semiconductor Conference (CAS); 2015, p211-214, 4p

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání