Zobrazeno 1 - 10 of 21 pro vyhledávání: '"Efthymiou, Loizos"'
2
Akademický článek
Physical understanding of a normally off p-GaN/AlGaN/GaN HEMT gate stack and a review of V TH measurement techniques.
Autor: Murukesan, Karthick, Efthymiou, Loizos, Udrea, Florin
Publikováno v: Journal of Physics D: Applied Physics; 1/13/2025, Vol. 58 Issue 2, p1-10, 10p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
On the Source of Oscillatory Behaviour during Switching of Power Enhancement Mode GaN HEMTs.
Autor: Efthymiou, Loizos1 le257@cam.ac.uk, Camuso, Gianluca1 gc409@cam.ac.uk, Longobardi, Giorgia1 gl315@cam.ac.uk, Chien, Terry2 Terry.Chien@vishay.com, Chen, Max2 max.chen@vishay.com, Udrea, Florin1 fu10000@cam.ac.uk
Publikováno v: Energies (19961073). Mar2017, Vol. 10 Issue 3, p407. 11p. 2 Diagrams, 8 Graphs.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
GaN-on-Silicon HEMTs and Schottky diodes for high voltage applications
Autor: Efthymiou, Loizos
Gallium Nitride (GaN) is considered a very promising material for use in the field of power devices as its application in power systems would result in a significant increase in the power density, reduced power losses, and the potential to operate at
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::68c37fce882b137f0dcaf76f4ca12eb9
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Dissertation/ Thesis
GaN-on-silicon HEMTs and Schottky diodes for high voltage applications
Autor: Efthymiou, Loizos
Gallium Nitride (GaN) is considered a very promising material for use in the field of power devices as its application in power systems would result in a significant increase in the power density, reduced power losses, and the potential to operate at
Externí odkaz: https://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.744433
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
Modelling of an AlGaN/GaN Schottky diode and extraction of main parameters.
Autor: Efthymiou, Loizos, Longobardi, Giorgia, Camuso, Gianluca, Hsieh, Alice Pei-Shan, Udrea, Florin
Publikováno v: 2015 International Semiconductor Conference (CAS); 2015, p211-214, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Acknowledgment to Reviewers of Energies in 2020.
Publikováno v: Energies (19961073). Feb2021, Vol. 14 Issue 3, p574. 1p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje